6月20日上午，国家存储器基地项目二期在武汉东湖高新区开工。
长江存储国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设，计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂，总投资240亿美元。
在开工仪式上，紫光集团兼长江存储公司董事长赵伟国介绍，一期主要实现技术突破，并建成10万片/月产能；二期规划产能20万片/月，两期项目达产后月产能共计30万片。
此前，项目一期已于2016年底开工建设，进展顺利，32层、64层存储芯片产品已实现稳定量产；今年4月成功研制出全球首款128层QLC三维闪存芯片，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。
据公司官网介绍，作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量。
长江存储是国家大基金重要投资项目
2014年，国务院印发《国家集成电路产业发展推进纲要》，同年9月国家大基金一期成立；2019年10月，规模超过2000亿的国家大基金二期也正式成立。
据中国证券报，从投向上看，国家大基金一期偏重于对资金需求度更高的制造环节，并且重点投向了国内龙头企业，例如对中芯国际的承诺投资便达到了约215亿元，长江存储达到190亿元，华力微电子约116亿元。在存储领域，国家大基金一期重点投资了IDM模式（设计-制造-封装测试-销售为一体）的长江存储。
关于大基金二期投资方向时，分析认为，制造依然是大基金投资的重点。
上海证券报则在今年3月援引业内人士观点，虽然前期大基金已经投资了中芯国际、华力微电子、长江存储等，但鉴于集成电路制造的重要性、投资重大，大基金还要持续给予这些公司以及更多的相关公司支持。
华芯基金管理公司（国家集成电路二期基金）副总裁任凯今年3月也表示，二期基金积极支持湖北产业发展，已推动两个重大项目在湖北落地，分别是总投资规模800亿元左右的长江存储，以及总投资规模120亿元的三安光电。