作者：周源/华尔街见闻
三星电子终于松了一口气。
7月18日，华尔街见闻从供应链独家获悉，三星电子HBM3E已通过英伟达测试。
这是三星电子自今年年初至今，先后四次或成立、或改组既有半导体业务团队为专门的HBM小组，集中力量攻坚HBM技术，誓要拿下“英伟达AI加速卡”HBM供应商资格的重大成果。
7月16日，中国台湾供应链有消息称，三星电子之前要求其合作伙伴拨出与HBM3E供应有关的产能准备。集邦咨询也有消息称，三星电子供应链已转动起来，有望今年第3季度开始向英伟达出货。
7月31日，三星将举行财务报告会议。业界预期，三星极有可能在那时会公告通过英伟达HBM认证的消息。
三星电子为了通过英伟达测试，也想重新夺回HBM技术和市场份额优势，在2024年1-7月，先后四次调整半导体业务线，为这项目标开辟道路。
最近一次是在今年7月4日，三星电子负责半导体业务的设备解决方案（DS）部门做了改组，新设HBM研发组。
三星电子副社长、高性能DRAM设计专家孙永洙（Son Young-Soo）担任该研发组组长，带领团队集中研发HBM3、HBM3E和新一代HBM4技术。同时，三星电子还重组了先进封装（AVP）团队和设备技术实验所，以提升整体技术竞争力。
这是继5月全永铉（Young Hyun Jun）代替庆桂显（Kyung Kye-hyun）担任DS部门负责人后的又一次大规模组织结构调整。
三星电子DS部门，即设备解决方案部门，主要负责存储、系统、晶圆代工的半导体相关业务。
其中，存储业务涵盖DRAM内存和NAND闪存的开发、制造和战略营销；系统LSI业务包括系统级芯片设计、制造和销售；晶圆代工业务为其他公司制造半导体芯片。这个部门在三星电子的半导体业务中扮演着关键角色，致力于推动技术创新和业务发展。
全永铉（Jun Young-hyun）最早于2000年加入三星电子的内存芯片业务团队。2014至2017年期间，全永铉担任DRAM和内存芯片开发业务负责人。之后，全永铉转任三星电池制造商三星SDI的首席执行官，负责电池业务。
孙永洙负责的HBM小组称为“HBM开发团队”，取代之前包括“HBM产能质量提升团队”在内的两个专门的HBM技术团队，集中技术力量和内部资源攻坚HBM3E和HBM4的技术开发工作，以此在HBM业务范围内追赶领先者SK海力士。
看起来孙永洙的工作卓有成效，在他领导的“HBM开发团队”成立仅两周（14天），或者更早，三星电子HBM3E就通过了英伟达技术测试。
值得一提的是，三星电子在HBM4（第六代）产品中用自家的4nm制程工艺制造逻辑芯片。目前，三星电子4nm工艺制程的良品率已超70%。
HBM的逻辑芯片，即Logic Die，SK海力士口径是基础裸片Base Die，美光科技则用接口芯片Interface Die概称。
上图图示为美光科技HBM3E微观物理结构图。
其中，DRAM Die为HBM内存提供内存容量；Interface Die（即 Logic Die）是DRAM堆栈的控制单元，也负责通过互连层与处理器的内存接口通信。因此， Logic Die是HBM内存的重要组成部分。
由于HBM4的逻辑芯片需要支持更多的信号引脚、更大的数据带宽和承载部分客户定制功能，因此存储厂商开始选择与逻辑晶圆厂合作，用逻辑半导体工艺生产HBM4的逻辑芯片。
SK海力士的HBM4逻辑芯片，此前有消息传出，其将采用台积电7nm工艺制程。最近，业界有消息称，SK海力士的HBM4，将用台积电5nm工艺制程替换此前的7nm工艺。
据美光科技财报显示，HBM3E在同一技术节点中生产给定数量，所消耗的晶圆供应量大约是DDR5的三倍。因此，三星电子将从DDR5产能中调拨约30%的比重，专项生产HBM。但此则消息未获三星电子官方确认。
尽管如此，业界仍相信这则消息的可靠性。
鉴于三星电子是全球DRAM龙头，市占率高达45%，若其调拨30%的DRAM产能给予HBM，则会削减约13%的DRAM全球供应量，故而DRAM供应缺口甚至比HBM更大，价格也会继续上扬。