全球存储芯片市场正经历一轮罕见的超级周期。在HBM销售强劲、DRAM及NAND价格大幅飙升的驱动下，三星电子和SK海力士第一季度营业利润预计将双双创下历史新高，且幅度接近此前纪录的两倍。
据TrendForce数据，Q1 DRAM及NAND Flash合同价格环比分别上涨90%至95%和55%至60%。预计Q2涨势延续。
据卖方机构预测，三星电子Q1营业利润估计达40万亿至45万亿韩元，SK海力士则为36万亿至39万亿韩元。两家公司此前的单季营业利润纪录均创于去年第四季度，若卖方预测准确，两家公司将同步刷新纪录，新高约为旧高的两倍。
在全球范围内能达到这一量级的企业屈指可数，仅包括英伟达、苹果、Alphabet、微软及沙特阿美等少数巨头。
三星电子业绩预告将于4月7日（韩国时间）披露，SK海力士财报电话会议定于4月23日举行，三星电话会议则安排在4月30日。
价格暴涨：DRAM合同价单季涨幅近翻番
存储芯片价格的飙升是本轮盈利爆发的直接推手。
据TrendForce数据，Q1 DRAM及NAND Flash合同价格环比分别上涨90%至95%和55%至60%。更值得关注的是，TrendForce预测Q2涨势将延续，DRAM合同价有望再涨58%至63%，NAND Flash则为70%至75%。
这一趋势在美光上月发布的财报中已有先兆。其2026财年第二季度（2025年12月至2026年2月）营收达238.6亿美元，较公司自身指引18.7亿美元高出27%；非GAAP营业利润165亿美元，超指引预期约46%。
供给瓶颈：新产能最早2027年末方能释放
供应端的结构性紧缺是推动此轮涨价的根本原因。业内预计，当前新建无尘室产能最早要到2027年末至2028年才能实际转化为有效供给。
在此背景下，AI云服务提供商正积极与存储厂商签订5年期长期采购协议以锁定货量，大宗存储市场供应短缺局面预计将持续。
行业内部人士指出，存储行业中长期的关键变量在于：谷歌TurboQuant等存储效率技术能否切实压缩服务器采购量，以及云数据中心企业能否维持当前的资本开支节奏。
IDC分析师Jitesh Ubrani亦表示，"存储短缺将持续至2027年。即便价格从2028年起有所回落，也不会回到2025年的水平。"
下游承压：智能手机出货量预计下滑逾12%
价格暴涨的代价正由下游消费电子产业承担。
IDC预测，受存储成本压力拖累，今年全球智能手机出货量将下降12.9%，PC出货量将下滑11.3%，并以"海啸级别"形容此次冲击。
存储价格已高至原始设备制造商主动下调产品规格、甚至全面砍掉入门级产品线的程度。显示面板厂商据报道也已因此下调全年出货目标。
对于存储芯片大厂而言，利润创纪录的另一面，是其客户承受压力的持续累积。随着供需失衡局面向产业链下游延伸，这场存储超级周期对整体消费电子市场的结构性影响，或将成为投资者需要持续关注的风险变量。
