全球NAND市场格局正迎来新一轮技术竞速。日本铠侠今年密集推进PCIe 6.0企业级固态硬盘及UFS 5.0移动存储方案量产，直接挑战三星电子在AI存储领域的头部地位，韩日两国存储巨头的新一代产品博弈全面升温。
据韩国科技媒体ZDNet报道，铠侠已于今年7月初在日本岩手县北上工厂启动第十代（BiCS 10）3D NAND量产，并在此基础上完成PCIe 6.0企业级固态硬盘CM10的商业化落地。三星电子同期亦宣布PCIe 6.0 eSSD产品PM1763进入量产，并披露第十代V-NAND（V10）将于本月启动量产，在关键节点上与铠侠形成直接正面交锋。此番两家厂商同期推进最新规格产品商用化，将加速AI数据中心及端侧AI市场的存储性能升级进程，并对现有供应格局产生深远影响。
从市场份额来看，据市场调研机构TrendForce数据，2026年第一季度三星电子以31.6%稳居全球NAND市场首位，SK海力士以17.6%位居第二，铠侠以13.9%排名第三。铠侠体量虽逊于韩系厂商，但其在AI高性能存储领域的技术推进节奏正在加快，市场竞争压力不容忽视。
铠侠：BiCS 10打底，PCIe 6.0与UFS 5.0双线推进
铠侠本轮技术攻势以第十代NAND为核心支撑。BiCS 10采用332层堆叠工艺，已于7月初在北上K2工厂正式量产。三星电子与SK海力士目前均已完成第九代NAND量产，尽管各厂商不同代际的堆叠层数定义存在差异，难以直接比较，但铠侠率先实现300层以上高堆叠NAND量产，本身具有重要的技术标志意义。
在此基础上，铠侠推出面向数据中心市场的PCIe 6.0 eSSD CM10。PCIe 6.0是今年才开始商用化的最新接口标准，铠侠官方数据显示，CM10相比前代产品顺序读取性能最高提升92%，随机读取性能提升约85%。
在端侧AI方向，铠侠计划于今年底启动UFS 5.0存储方案量产。UFS 5.0为今年开始商用化的最新嵌入式存储规格，主要应用于移动端NAND场景，数据处理速度较上一代UFS 4.1提升约2倍。铠侠的UFS 5.0方案搭载自研控制器与第八代NAND。
三星：多条产品线齐发，V10开启新一代工艺
三星电子今年在NAND领域同样动作密集。PM1763于7月初进入量产，搭载第九代V-NAND及4纳米制程新一代控制器，成为三星在PCIe 6.0赛道的首款商用产品。
在移动存储方向，三星已于今年6月完成UFS 5.0产品开发，计划于今年第四季度启动量产。该产品基于第九代NAND，实现10.8GB/s的数据传输带宽，三星将其定位为行业最高水准，并兼顾功耗效率。
更受市场关注的是三星V10 NAND的量产启动。V10堆叠层数估计达430层以上，并将首次引入混合键合（Hybrid Bonding）工艺及三次堆叠（3-Stack）架构，标志着三星在NAND工艺上迈入新阶段。据半导体行业人士透露，三星近期已完成V10的内部产品量产审批（PRA），正式对外公布量产计划。不过该人士同时指出，目前大规模量产设备投资尚未全面展开，初期产量预计仍处于较低水平。
AI需求驱动，新规格存储加速渗透
本轮韩日厂商的竞争焦点高度集中于AI应用场景。PCIe 6.0面向AI数据中心的高吞吐量存储需求，UFS 5.0则针对端侧AI设备对本地存储性能的快速提升需求，两条产品线均与当前AI产业扩张方向高度吻合。
铠侠的快速跟进表明，全球NAND市场的技术迭代周期正在压缩，头部厂商在新规格产品的商用化时间窗口上差距已大幅收窄。对于AI基础设施投资者而言，存储层面的性能瓶颈有望在今年至明年间随上述新规格产品的规模化量产而得到实质性缓解。
