业绩炸裂、股东回报空前,SK海力士将反杀空头?

摩根大通认为,SK海力士三季度营收与营业利润均创历史新高,分别超市场共识约7%和9%;其100万亿韩元股东回报计划约为共识2.5倍。摩根大通维持增持评级,目标价270万韩元,预计业绩超预期叠加回报方案将推动股票情绪由偏空转正面。

SK海力士交出史上最强季度业绩,同时抛出远超市场预期的股东回报计划,有望将此前偏空的股票情绪拉回正轨。

据追风交易台消息,据摩根大通28日发布的研究报告,SK海力士2026年第三季度营收达104.6万亿韩元,营业利润达83.3万亿韩元,均创历史同期新高,分别超出市场共识约7%和9%,超出摩根大通自身预测约11%和16%。同日,公司宣布规模高达100万亿韩元的股东回报计划,涵盖60万亿韩元回购与40万亿韩元股息,摩根大通指出,市场此前的普遍预期仅约40万亿韩元。

摩根大通分析师Jay Kwon在报告中表示,季度业绩超预期叠加新股东回报方案,预计将推动股票情绪由此前的偏空转为正面。报告维持对SK海力士的增持(Overweight)评级,目标价270万韩元(基于2027年6月时间节点),较当前股价1,343,000韩元存在约一倍上行空间。

定价强劲,HBM4放量平稳推进

本季业绩超预期的核心驱动力来自定价端。SK海力士第三季度DRAM平均售价(ASP)环比上涨近30%,显著高于摩根大通此前预测的约20%;NAND ASP环比上涨约25%,亦大幅高于摩根大通预测的12%。

摩根大通认为,DRAM ASP超预期表现意味着HBM4的量产爬坡进展顺利。公司预计,第四季度HBM4将在HBM出货量及营收占比上超越HBM3E,并计划在2026年底前将M15X产线提升至满产。公司同时透露,2027年HBM定价谈判已基本完成,HBM相对于传统DRAM的盈利溢价有望明显收窄。

在出货量方面,第三季度DRAM比特出货量环比增长约10%,符合摩根大通预期;NAND比特出货量则略有下滑,略逊于预期的环比增长3%。外汇因素构成一定拖累,季内汇兑损失达11.6万亿韩元。

第四季度出货指引远超预期

公司对第四季度出货量的指引大幅高于市场预期。管理层预计,DRAM比特出货量环比增幅将达20%左右,远超摩根大通预测的4%;NAND比特出货量亦预计实现中个位数百分比的环比增长,高于摩根大通预测的3%。

公司将上述增长归因于1cnm制程产能扩张、M15X产线爬坡,以及基于321层堆叠架构的eSSD销售增加。321层NAND在国内产能中的占比预计于第四季度扩大至50%以上。

在技术路线上,公司计划提升1cnm制程服务器产品比重,并扩大1cnm DDR5及LPDDR5 SOCAMM的销售规模。

百万亿回购规模远超共识,长协锁定未来两年需求

股东回报计划是本次公告另一重大亮点。SK海力士宣布2026年度股东回报计划总规模达100万亿韩元,其中包含60万亿韩元的股票回购及40万亿韩元的股息,依据摩根大通预测,这一规模对应2026年自由现金流的65%以上派发比率。

据摩根大通,市场此前对该计划的普遍预期约为40万亿韩元,实际公告规模约为共识的2.5倍。公司同日宣布当日启动20万亿韩元的回购计划,其中10万亿韩元用于股东回报,另外10万亿韩元用于员工持股计划(PSU)购买。第三季度每股股息为20,000韩元,其中10,000韩元来自核心经营利润,另外10,000韩元来自铠侠(Kioxia)股权出售收益,公司计划在年底将大部分铠侠出售相关收益以特别股息形式分配。

需求端方面,公司已与包括全球主要云服务商(CSP)在内的14家核心客户签署长期协议(LTA),锁定2027年及2028年逾50%的总产能。公司重申,内存需求将持续超越供给至2030年。

汇兑损失及PC与智能手机需求疲软构成隐忧

尽管经营层面全面超预期,但税前利润及净利润均低于预期,主要原因为外汇损失(11.6万亿韩元)以及与铠侠相关的投资估值损失(约22.9万亿韩元)。

此外,PC及智能手机终端需求呈现局部疲软迹象,部分终端产品出货出现调整,产品组合亦因内存价格上涨而有所变化。

资本支出方面,第三季度资本开支为12.7万亿韩元,年初至今累计31万亿韩元,摩根大通全年预测为47万亿韩元,目前进度符合预期。公司表示,资本开支主要集中于龙仁(Yong-in)产业集群基础设施建设及M15X产线关键设备采购,并预计2027年资本支出将较2026年显著增加。

摩根大通:共识盈利预测上调空间明显

摩根大通认为,此次季度超预期业绩将推动市场共识盈利预测上移,未来12至24个月内存供需基本面的自下而上逻辑依然有利。分析师指出,2027年HBM定价,以及长协与非长协客户的结构比例和提价幅度,仍是影响共识每股盈利(EPS)上调幅度的关键变量。

报告对SK海力士的估值基于2026至2027年预测EPS均值的7倍市盈率,以反映更强劲、更持久的内存上行周期预判。

 

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