韩国半导体专家：英伟达想要减少HBM需求，却增加了闪存需求

8月19日，据韩国科技商业频道，韩国半导体专家在节目上表示，英伟达为突破GPU存储物理限制，采用外置SSD方案，通过光纤或铜缆连接数百TB超大容量存储池，以NAND闪存的Z字形堆叠结构替代高成本HBM。这一架构设计将带动NAND闪存需求急剧增长。