应用材料推出新型沉积与选择性刻蚀系统，助力3D芯片尺寸微缩。新系统可在高深宽比3D逻辑和存储芯片结构中实现精密的材料工程处理。
Centris™ Spectral™ SiN ALD采用创新的微波等离子体技术，在复杂的3D结构中实现均匀的氮化硅沉积。
Producer™ Selectra™ Mo Etch可选择性地去除钼以实现字线隔离，从而助力3D NAND存储器的尺寸微缩。
领先的逻辑和存储芯片制造商正将这些新系统应用于先进制程节点的制造。
AI算力的激增正加速整个行业向先进的3D器件架构转型，包括全环绕栅极（GAA）晶体管和高层数3D NAND存储器。随着这些垂直结构中的特征变得越来越深、越来越窄，传统的沉积和刻蚀工艺很难将材料从上到下均匀分布，这会产生差异性，进而降低器件的电学性能并影响良率。
为应对这一挑战，应用材料推出了前述两款芯片制造系统。这两款系统共同为芯片制造商提供了对高深宽比结构中介电薄膜沉积和金属去除的精准控制。其成果是在先进节点实现更均匀的材料工程处理，使逻辑和存储应用能够在保持更佳器件性能、更严密工艺控制和更高可制造性的同时，持续推进3D微缩。
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