下一代功率半导体与供电解决方案领先企业Navitas Semiconductor（NVTS，纳微半导体）推出最新的24 kW、800 V至12 V直流-直流供电板。该公司在氮化镓、高压及超高压碳化硅和集成电压调节技术方面处于行业前沿。该供电板采用GaNFast™技术，并与英伟达合作开发，旨在支持NVIDIA MGX生态系统，推动AI数据中心800 V直流供电架构发展。该新型供电板计划在2026年OCP全球峰会的NVIDIA AI Factory MGX Wall合作伙伴展示区展出。
这款最新的24 kW、800 V至12 V供电板进一步扩展了纳微半导体面向AI数据中心的800 V直流平台产品组合。此前该公司已与英伟达合作开发了20 kW、800 V至6 V供电板。这些方案体现了纳微半导体Navitas 2.0转型的核心战略重点：在AI基础设施中，从电网到各类xPU加速芯片，加速以新一代氮化镓和碳化硅高功率技术替代传统硅基方案。
该供电板可提供24 kW功率，满载目标效率达97%，功率密度超过2,000 W/in³，能够为整个计算托盘供电。该供电板采用英伟达最新的400 mm × 60 mm外形规格，可尽可能贴近xPU集成到计算主板上，从而降低供电损耗，并满足高功率需求。
其单级架构可将800 V直流电直接转换为12 V直流电，省去现有的50 V至12 V中间总线转换器转换级，直接向为xPU供电的电压调节模块提供12 V电压。这种简化的供电架构在降低功耗、节省电路板空间并减少整体供电复杂度的同时，提升了系统效率与可靠性。