有消息称，英伟达已要求三星电子、SK海力士和美光科技采用台积电3nm制程的基底裸片（Base Die）为其生产NVHBM（英伟达的定制HBM技术，HBM即高带宽内存），核心裸片（Core Die）则采用第六代DRAM（动态随机存取存储器）技术，三星电子已经决定接受英伟达的技术要求。
对于此事的真实性，10月19日，三星电子回应称，公司不对涉及客户的事项发表评论。
TrendForce集邦咨询分析师王豫琪告诉记者，基底裸片位于HBM堆叠的最底层，是核心裸片与AI芯片之间唯一的信号通道，负责接口与信号分配等功能，其稳定性直接影响HBM性能。自HBM4起，为满足性能需求及功耗、散热条件，部分厂商基底裸片已采用12nm、4nm等先进逻辑制程，后续为进一步提升运算性能，采用定制化基底裸片的HBM成为产业发展趋势。（一财）