SK海力士斥资超40亿美元在美国建HBM先进封装基地，2029年量产

韩国芯片巨头SK海力士正式启动其在美国的首个高带宽内存封装工厂建设，这是华盛顿重建本土半导体供应链战略的重要节点。

周四，SK海力士在印第安纳州西拉法叶举行破土动工仪式，这座造价逾40亿美元的工厂将成为该公司在美国的首个HBM封装基地。

首席执行官Kwak Noh-Jung在现场表示，洁净室预计于2028年10月投入使用，下一代HBM量产将于2029年下半年启动，工厂全面运营后将雇用约1,000名员工。

该项目获得了美国《芯片与科学法案》的支持，SK海力士有望据此获得最多4.58亿美元直接资金及最高5亿美元贷款。

Kwak Noh-Jung在仪式上表示，"我们将在美国扩大投资与合作，共同成长，成为塑造美国AI未来最值得信赖的伙伴。"

周四，SK海力士ADR收涨2.27%。

印第安纳州项目的战略意义在于，它直接针对美国半导体供应链中的薄弱环节——先进封装。这一技术将多颗芯片整合进单一封装体，通常采用垂直堆叠方式以提升性能，在传统芯片微缩技术日益受限的背景下尤为关键。

按照计划，SK海力士将在韩国完成晶圆生产，再运往印第安纳州进行封装与测试，最终向美国客户供货。这一安排将HBM制造链条中技术壁垒最高的后端环节引入美国本土，契合华盛顿将关键芯片制造、封装及研发能力带回美国的政策初衷。

《芯片与科学法案》由拜登总统于2022年签署，旨在降低美国对海外半导体生产的依赖。SK海力士此番布局，是该法案推动外资芯片企业在美投资的标志性成果之一。

这座占地133.5英亩的工厂预计将通过建设、运营及相关产业，创造约7,000个直接和间接就业岗位。SK海力士目前正在评估逾100家材料、零部件及设备供应商，有望在当地形成更广泛的半导体产业集群。

在研发层面，SK海力士与毗邻的普渡大学签署合作协议，共同推进HBM、系统集成及先进封装研究，并将在生产线旁配套建设先进封装研发测试平台。这一产学研联动模式有助于在美国本土积累相关技术人才与知识储备。

母公司SK集团还宣布，将为驻韩美军退役士兵提供就业和职业发展机会，呼应了印第安纳州与韩国之间的历史渊源——该州曾向朝鲜战争派遣约14万名士兵。

高带宽内存市场的爆发性增长为SK海力士提供了扩张底气。

HBM是英伟达最先进AI加速系统不可或缺的核心部件，旺盛的AI算力需求已将SK海力士推升为韩国市值第二大上市公司，仅次于三星电子，后者同样受益于HBM及其他存储产品的强劲需求。

随着洁净室建设推进及量产时间表落定，这座工厂的运营节奏将在一定程度上与全球AI基础设施投资周期深度绑定。

对于关注AI供应链布局的投资者而言，该项目既是SK海力士在美市场份额争夺的前沿阵地，也是观察美国半导体本土化战略落地进展的重要窗口。