报道:SK 海力士正与英特尔洽谈,拟首次在美生产存储芯片

SK海力士被曝正与英特尔洽谈,拟首次在美国本土生产存储芯片,地点指向英特尔俄亥俄州工厂。潜在方案包括租用产能或与英特尔及云计算公司组建合资企业。谈判仍处探索阶段,韩国政府是否批准被视为最大变数。若协议达成,将同时利好承压中的英特尔与特朗普政府的芯片本土化战略。

据路透社9月16日报道,三名知情人士透露,韩国半导体巨头SK海力士正与英特尔洽谈合作事宜,计划首次在美国本土生产存储芯片。谈判地点聚焦于英特尔位于俄亥俄州的芯片制造工厂。

目前有两套方案:

方案一:SK海力士租用英特尔俄亥俄州工厂的部分产能,直接在当地开展存储芯片生产。

方案二:SK海力士与英特尔、主要云计算公司共同组建合资企业。云厂商的动机明确——它们迫切希望锁定存储芯片供应。背景是,AI和数据中心的持续高速投入,已造成存储芯片的严重短缺。

至于具体生产哪类芯片,报道称表示尚未获悉。SK海力士的产品线涵盖用于服务器、PC和智能手机的DRAM芯片、提供长期存储的NAND闪存芯片,以及用于AI处理器的高带宽内存(HBM)——其中HBM领域,SK海力士是全球领先供应商。

目前谈判仍处于探索阶段,知情人士强调“尚未作出任何决定”,具体合作结构也存在多种可能。消息后。英特尔、SK海力士美股夜盘涨超2%。

对英特尔和特朗普政府意味着什么

这笔潜在交易,对两个“急需好消息”的主体都有直接价值。

英特尔方面,公司近年来持续承压,俄亥俄州工厂的建设计划也因此陷入不确定。若SK海力士入局,相当于为这一项目注入外部支撑。

特朗普政府方面,其一直在向芯片企业施压,要求在美国本土建厂。SK海力士若在美国落地生产,将是这一政策的标志性成果。

不过,知情人士指出,韩国政府的潜在反对,可能是交易面临的最大阻碍。

这一担忧并非空穴来风。韩国政府历来对本国核心半导体技术外流保持高度警惕,SK海力士的存储芯片制造能力——尤其是HBM技术——属于战略敏感领域。能否获得首尔的政策许可,将直接决定谈判能否走向落地。

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