华为获准在英国建研发制造中心!欲投10亿英镑,打破外企高端光芯片垄断

来源: 中国证券报
英国研发中心仅专注于光电子的研发与制造。这是三年前设想的,与美国最近的任何行动都没关系。关于该项目违反美国不合理制裁的任何提法都是不负责任和不正确的。

据华为官网消息,英国当地时间6月25日,位于英国剑桥“硅沼”腹地的华为剑桥园区第一期规划已经获批,主要用于光电子的研发与制造。

据了解,该项目一期规划用地9英亩,建筑面积达50000平方米,计划投资规模10亿英镑(约88亿元),预计将带来400多个工作岗位。

项目历时三年

华为剑桥园区位于高科技企业云集的英国剑桥“硅沼”腹地,落成后将成为华为海外光电子业务总部。华为表示,这项投资将极大地促进该地区的高科技发展,从而进一步巩固剑桥作为全球创新中心的地位。

来源:华为官网

该项目规划经历三年多时间。2017年,华为开始选址,2018年完成500英亩南剑桥郡新址的购买,2019年初启动规划申请程序。这里原是文具企业Spicers位于索斯顿以西的造纸厂和生产基地。

今年是华为进入英国市场的第20年,该公司目前在英国拥有1600名员工。华为称,首期项目将聚焦光器件和光模块的研发、制造。通过集研发制造功能一体,以加速产品研发和商业化进程,更高效地将产品推向市场。

光电子技术是光纤通信系统的一项关键技术,华为在英国的这项重大投资旨在推动相关技术应用于全球数据中心和网络基础设施。

华为副总裁张建岗表示,英国研发中心将仅专注于光电子的研发与制造。这是华为三年前设想的,与美国最近的任何行动都没有关系。关于该项目违反美国不合理制裁的任何提法,都是不负责任和不正确的。

拟建光芯片厂

2019年5月,英国《金融时报》报道称,华为计划在英国剑桥开设一座400人规模的芯片研发中心,预计2021年投产。当时,华为回应称,华为在英国剑桥购买了513英亩土地,计划未来5年,投资10亿-20亿英镑建设和运营光器件的研发、制造基地,面向全球提供光器件和光模块。

早在2019年2月,华为创始人兼总裁任正非接受BBC专访时称,华为在英国爱丁堡、布里斯托、利普斯维奇都建立了研究中心,在伯明翰建立了培训中心。在剑桥要建立一个光芯片的生产中心。

任正非还表示,在光芯片上,电子、光子、量子交换上,欧洲领先世界,华为在英国建立的工厂是光交换芯片。

当时,任正非在采访中透露:“我们最近在剑桥买了500英亩的土地建光的芯片工厂。在光的芯片上,我们是领导全世界的,建工厂就是为了将来出口到很多国家去。”

任正非称:“我们还会继续投资,对英国是信任的,希望英国更信任我们,我们更大规模投资到英国。如果美国不信任我们,我们更大规模把投资转到英国来投资。”

外企长期垄断高端光芯片

光芯片(激光器芯片)是光器件的核心元件,基于受激辐射原理,主要用于光电信号转换。激光器芯片(Chip)通过TO、COB等封装形式制成光模块(Transceiver),用于电信和数据中心市场。常用的核心光芯片主要包括DFB、EML、VCSEL三种类型,分别应用于不同传输距离和成本敏感度的应用场景。

国盛证券研报表示,光芯片的制造过程可以分为芯片设计、基板制造、磊晶成长、晶粒制造四个环节。光芯片处于光通信产业链高点,技术壁垒高。从光器件产业链上看,主要可以分为晶圆、光芯片、光器件、光模块、光设备以及其它下游市场。其中,光芯片产业位于光通信产业链上游位置,且市场多为外国公司所占有。

“外企长期垄断高端光芯片,国产空间替代空间可期。”国盛证券还表示,近年来,我国光模块封装企业发展迅速,但是作为光模块核心器件的光芯片,却高度依赖国外企业。根据《中国光器件产业发展线路图(2018-2022)》显示,我国10Gb/s下的光芯片国产化率达到80%,10Gb/s速率的光芯片国产化率接近50%,而25Gb/s及以上的速率的光芯片,国产化率仅3%。

长江证券指出,伴随流量加速爆发,光芯片市场规模加速增长。在电信市场,传输网扩容正当时,接入网逐步向10G PON升级,5G基站大规模建设或带来超20亿美元光芯片市场空间,为4G时代2.8倍。在数据中心市场,需求持续井喷。在消费电子市场,VCSEL芯片切入消费电子市场,市场空间拓展10-100倍。随着硅光集成度提升带来价值占比提升,未来成长空间“一望无际”。

本文作者:张兴旺,来源:中国证券报 

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