核心要点
华润微是中国本土的功率半导体龙头企业，公司拥有芯片设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化能力；
目前公司在无锡拥有1条8英寸和3条6英寸晶圆产线，年产能约320万片，在重庆拥有1条8英寸晶圆产线（年产能约70万片）和12英寸生产线。 此外公司与重庆政府战略合作建设12寸线。
公司可提供-100V-1500V全系列产品，是国内综合实力最强的功率器件厂商，有望充分受益国产替代。此外，公司也在IGBT、SiC、GaN 等创新领域深度布局。
公司自成立以来整合了华润矽科威、华润上华、华润安盛、重庆华微等重要子公司，覆盖了功率器件全产业链环节，未来外延并购将是公司核心战略。
主营业务：分为产品与方案、制造与服务两部分
华润微是中国领先的拥有芯片设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化经营能力的IDM半导体企业，产品聚焦于功率半导体、智能传感器与智能控制领域。
公司产品与方案业务板块聚焦于功率半导体、智能传感器与智能控制领域，主要由华润华晶、重庆华微、华润矽科、华润矽威、华润半导体等子公司运营。
公司制造与服务业务主要提供半导体开放式晶圆制造、封装测试等服务，主要由控股子公司华润上华、华润安盛、华润赛美科运营。
华润微下属开展半导体业务的子公司具体业务可分为产品设计、晶圆制造、封装测试、掩模制造四大业务板块，具体分类情况如下：
股权结构： 华润为控股股东
公司的唯一股东为CRH（Micro），即华润集团（微电子）有限公司。
公司战略：内涵+外延
公司成立时间较早，内涵+外延为主线战略。
公司将利用华润集团内部丰富的物联网的场景，从应用端出发，带动核心芯片，包括传感器的研发，推动公司的产品从消费电子领域向工业控制和汽车电子领域做转型，公司与集团内公司共同推进产品技术的研发，特别聚焦于传感器领域的研发工作。
公司背靠华润集团，百分百国资控股，在成立之初即进行不断的外延并购整合，目前已拥有从事产品设计、晶圆制造和封装测试领域的13家子公司，业务版图逐渐扩大。另外，华润集团业务覆盖范围广，涵盖大消费、大健康、城市建设与运营、能源服务、科技与金融等领域，公司在华润集团内部协同的效应下，与华润集团多元化的业务场景结合，公司产品具有潜在的广泛应用空间。
公司自成立以来不断进行并购整合，2001年并购华润矽科微电子，建立功率器件设计业务；2002年收购华晶电子，将6英寸MOS晶圆代工业务纳入公司运营实体；2008年华润集团将华润华晶、华润安盛和华润赛美科等公司置入公司运营实体；2017年收购中航微电子52.41%股份， 进一步增强了公司IDM全产业链一体化的运营实力；2019年收购杰群电子35%股权，开始进入汽车电子领域。
财务分析：营收稳定，折旧大幅减少增高净利润
公司近三年营业收入稳定。2017年和2018年实现较快增长，主要系半导体行业景气度上行，下游客户需求旺盛，同时公司产品竞争力持续增加，整体产品销售单价有所提升所致。公司2019年收入有所下滑， 主要系半导体行业进入下行周期，公司代工订单减少，制造与服务板块中晶圆业务收入减少所致。
公司2018年净利润大幅度增加。公司2017-2019年净利润分别为0.70亿元、4.29 亿元、4.01亿元，2018年净利润大幅增加，主要系公司重庆华微8英寸生产线和华润上华2厂8英寸生产线部分设备 2017 年折旧年限到期，折旧共计减少3.71亿元所致。
核心竞争力：产品、技术
公司功率半导体可分为功率器件与功率IC两大类产品。 其中，功率器件产品主要有MOSFET、IGBT、SBD、FRD，功率IC产品主要有各系列电源管理芯片。
公司是目前国内产品线最为全面的功率器件厂商，主要应用于消费电子、工业控制、新能源、汽车电子等领域；也是国内营业收入最大、技术能力领先的MOSFET厂商。公司在IGBT、SBD、FRD等功率器件上亦具有较强的产品竞争力。
公司开展产品设计、晶圆制造、封装测试、掩模制造分别由各子公司承担。
受益于公司全产业链的经营能力，相比 Fabless 模式经营的竞争对手，公司能够有更快的产品迭代速度和更强的产线配合能力。基于IDM经营模式，公司能更好发挥资源的内部整合优势，提高运营管理效率，能够缩短产品设计到量产所需时间，根据客户需求进行更高效、灵活的特色工艺定制。
公司合计拥有1100余项分立器件产品与500余项IC产品。公司是国内产品线最为全面的功率分立器件厂商之一；公司具有全国领先的半导体制造工艺水平，BCD工艺技术水平国际领先、MEMS工艺等晶圆制造技术以及IPM模块封装等封装技术国内领先；拥有6英寸晶圆制造产能约为247万片/年，8英寸晶圆制造产能约为133万片/年，具备为客户提供全方位的规模化制造服务能力。
MOSFET作为公司功率半导体的主要器件，公司自主研发了沟槽性MOS器件、平面栅VDMOS、多层外延超结MOS器件等。IGBT器件公司自主研发了Trench-FS工艺，具有电流密度高、导通电压低和开关损耗小等特点，公司专利覆盖了600V-6500V多个电压平台等多种IGBT器件结构和工艺流程。公司在功率二极管方面自主研发和生产的沟槽性SBD二极管采用了先进的8英寸Trench技术，具有低电阻、低漏电、高可靠性的特点，工作电压覆盖45V至150V。另外，公司在制造与服务环节也积累了BCD、MEMS、IPM模块封装、PQFN/PDFN封装等工艺技术。
在产品与方案板块，公司已储备硅基GaN功率器件设计、加工和封装测试技术、SiC功率器件设计、加工和封装测试技术IPM智能功率模块设计、加工和封装测试技术、升级超级MOS器件技术、升级沟槽栅MOS产品技术、无线充IC产品技术及BMS IC产品技术等；在制造与服务板块，公司已储备8英寸MEMS工艺平台技术及0.5微米500-600V SOI BCI平台技术等。
核心逻辑：国产替代
根据Yole数据，2018年功率半导体全球市场中，中国地区市场份额为43%，占比最大，其次是日本，占比为9%，其余以各大洲或地区为单位进行统计，欧洲、中东和非洲占比为13%，美洲占比为14%，而除去中日外的亚洲和大洋洲占比为21%。市场占比第一名的中国比第二名的日本份额高出34%，市场空间巨大。
作为全球营收规模最大的功率半导体厂商英飞凌，2017年在中国地区的营收达到124.6亿元，超过安世集团的全球收入，而安世集团在中国地区的收入为39.31亿元，仍有较大的提升空间。
在巨大的中国功率半导体市场中，多种器件国产化程度不足。在功率半导体的各个器件中，BJT 器件国产化程度最高，但依然不足50%，功率 IC器件次之，占比为47%，IGBT单管国产化程度占比为43%，其余器件国产化程度都低于40%，国产化程度有待提高。
本文来源：光大证券，原文标题：《中国“英飞凌”的崛起》
