华润微:中国“英飞凌”的崛起

来源: 光大证券
华润微是中国本土的功率半导体龙头企业,公司拥有芯片设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化能力,在国产替代背景下将受益。

核心要点

华润微是中国本土的功率半导体龙头企业,公司拥有芯片设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化能力;

目前公司在无锡拥有1条8英寸和3条6英寸晶圆产线,年产能约320万片,在重庆拥有1条8英寸晶圆产线(年产能约70万片)和12英寸生产线。 此外公司与重庆政府战略合作建设12寸线。

公司可提供-100V-1500V全系列产品,是国内综合实力最强的功率器件厂商,有望充分受益国产替代。此外,公司也在IGBT、SiC、GaN 等创新领域深度布局。

公司自成立以来整合了华润矽科威、华润上华、华润安盛、重庆华微等重要子公司,覆盖了功率器件全产业链环节,未来外延并购将是公司核心战略。

主营业务:分为产品与方案、制造与服务两部分

华润微是中国领先的拥有芯片设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化经营能力的IDM半导体企业,产品聚焦于功率半导体、智能传感器与智能控制领域。

公司产品与方案业务板块聚焦于功率半导体、智能传感器与智能控制领域,主要由华润华晶、重庆华微、华润矽科、华润矽威、华润半导体等子公司运营。

公司制造与服务业务主要提供半导体开放式晶圆制造、封装测试等服务,主要由控股子公司华润上华、华润安盛、华润赛美科运营。

华润微下属开展半导体业务的子公司具体业务可分为产品设计、晶圆制造、封装测试、掩模制造四大业务板块,具体分类情况如下:

股权结构: 华润为控股股东

公司的唯一股东为CRH(Micro),即华润集团(微电子)有限公司。

公司战略:内涵+外延

公司成立时间较早,内涵+外延为主线战略。

公司将利用华润集团内部丰富的物联网的场景,从应用端出发,带动核心芯片,包括传感器的研发,推动公司的产品从消费电子领域向工业控制和汽车电子领域做转型,公司与集团内公司共同推进产品技术的研发,特别聚焦于传感器领域的研发工作。

公司背靠华润集团,百分百国资控股,在成立之初即进行不断的外延并购整合,目前已拥有从事产品设计、晶圆制造和封装测试领域的13家子公司,业务版图逐渐扩大。另外,华润集团业务覆盖范围广,涵盖大消费、大健康、城市建设与运营、能源服务、科技与金融等领域,公司在华润集团内部协同的效应下,与华润集团多元化的业务场景结合,公司产品具有潜在的广泛应用空间。

公司自成立以来不断进行并购整合,2001年并购华润矽科微电子,建立功率器件设计业务;2002年收购华晶电子,将6英寸MOS晶圆代工业务纳入公司运营实体;2008年华润集团将华润华晶、华润安盛和华润赛美科等公司置入公司运营实体;2017年收购中航微电子52.41%股份, 进一步增强了公司IDM全产业链一体化的运营实力;2019年收购杰群电子35%股权,开始进入汽车电子领域。

财务分析:营收稳定,折旧大幅减少增高净利润

公司近三年营业收入稳定。2017年和2018年实现较快增长,主要系半导体行业景气度上行,下游客户需求旺盛,同时公司产品竞争力持续增加,整体产品销售单价有所提升所致。公司2019年收入有所下滑, 主要系半导体行业进入下行周期,公司代工订单减少,制造与服务板块中晶圆业务收入减少所致。

公司2018年净利润大幅度增加。公司2017-2019年净利润分别为0.70亿元、4.29 亿元、4.01亿元,2018年净利润大幅增加,主要系公司重庆华微8英寸生产线和华润上华2厂8英寸生产线部分设备 2017 年折旧年限到期,折旧共计减少3.71亿元所致。

核心竞争力:产品、技术

公司功率半导体可分为功率器件功率IC两大类产品。 其中,功率器件产品主要有MOSFET、IGBT、SBD、FRD,功率IC产品主要有各系列电源管理芯片

公司是目前国内产品线最为全面的功率器件厂商,主要应用于消费电子、工业控制、新能源、汽车电子等领域;也是国内营业收入最大、技术能力领先的MOSFET厂商。公司在IGBT、SBD、FRD等功率器件上亦具有较强的产品竞争力。

公司开展产品设计、晶圆制造、封装测试、掩模制造分别由各子公司承担。

受益于公司全产业链的经营能力,相比 Fabless 模式经营的竞争对手,公司能够有更快的产品迭代速度和更强的产线配合能力。基于IDM经营模式,公司能更好发挥资源的内部整合优势,提高运营管理效率,能够缩短产品设计到量产所需时间,根据客户需求进行更高效、灵活的特色工艺定制。

公司合计拥有1100余项分立器件产品与500余项IC产品。公司是国内产品线最为全面的功率分立器件厂商之一;公司具有全国领先的半导体制造工艺水平,BCD工艺技术水平国际领先、MEMS工艺等晶圆制造技术以及IPM模块封装等封装技术国内领先;拥有6英寸晶圆制造产能约为247万片/年,8英寸晶圆制造产能约为133万片/年,具备为客户提供全方位的规模化制造服务能力。

MOSFET作为公司功率半导体的主要器件,公司自主研发了沟槽性MOS器件、平面栅VDMOS、多层外延超结MOS器件等。IGBT器件公司自主研发了Trench-FS工艺,具有电流密度高、导通电压低和开关损耗小等特点,公司专利覆盖了600V-6500V多个电压平台等多种IGBT器件结构和工艺流程。公司在功率二极管方面自主研发和生产的沟槽性SBD二极管采用了先进的8英寸Trench技术,具有低电阻、低漏电、高可靠性的特点,工作电压覆盖45V至150V。另外,公司在制造与服务环节也积累了BCD、MEMS、IPM模块封装、PQFN/PDFN封装等工艺技术。

在产品与方案板块,公司已储备硅基GaN功率器件设计、加工和封装测试技术、SiC功率器件设计、加工和封装测试技术IPM智能功率模块设计、加工和封装测试技术、升级超级MOS器件技术、升级沟槽栅MOS产品技术、无线充IC产品技术及BMS IC产品技术等;在制造与服务板块,公司已储备8英寸MEMS工艺平台技术及0.5微米500-600V SOI BCI平台技术等。

核心逻辑:国产替代

根据Yole数据,2018年功率半导体全球市场中,中国地区市场份额为43%,占比最大,其次是日本,占比为9%,其余以各大洲或地区为单位进行统计,欧洲、中东和非洲占比为13%,美洲占比为14%,而除去中日外的亚洲和大洋洲占比为21%。市场占比第一名的中国比第二名的日本份额高出34%,市场空间巨大。

作为全球营收规模最大的功率半导体厂商英飞凌,2017年在中国地区的营收达到124.6亿元,超过安世集团的全球收入,而安世集团在中国地区的收入为39.31亿元,仍有较大的提升空间。

在巨大的中国功率半导体市场中,多种器件国产化程度不足。在功率半导体的各个器件中,BJT 器件国产化程度最高,但依然不足50%,功率 IC器件次之,占比为47%,IGBT单管国产化程度占比为43%,其余器件国产化程度都低于40%,国产化程度有待提高。

本文来源:光大证券,原文标题:《中国“英飞凌”的崛起》

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