据中国台湾《经济日报》报道，三星电子在公司举办的晶圆代工论坛上表示，2025年将开始量产2纳米芯片，明年上半开始生产客户设计的3纳米芯片，第二代的3纳米芯片则预期在2023年生产。
三星表示，公司的GAA电晶体结构先进制程技术已经发展完备，明年可为客户量产3纳米芯片，2025年量产2纳米芯片。GAA制程生产的3纳米芯片与5纳米相较，性能增强30%，功耗减少50%。
三星称，晶圆代工同时也持续改善鳍式晶体管（FinFET）制程技术来支援特定产品，以期发挥成本效与竞争力。宣称其17奈米FinFET制程芯片，与28奈米比较，性能增强39%，功率效率增强49%，面积减少43%。
