三星电子宣布2025年量产2纳米芯片

作者: 华尔街见闻
三星表示,公司的GAA电晶体结构先进制程技术已经发展完备,明年可为客户量产3纳米芯片,2025年量产2纳米芯片。GAA制程生产的3纳米芯片与5纳米相较,性能增强30%,功耗减少50%。

据中国台湾《经济日报》报道,三星电子在公司举办的晶圆代工论坛上表示,2025年将开始量产2纳米芯片,明年上半开始生产客户设计的3纳米芯片,第二代的3纳米芯片则预期在2023年生产。

三星表示,公司的GAA电晶体结构先进制程技术已经发展完备,明年可为客户量产3纳米芯片,2025年量产2纳米芯片。GAA制程生产的3纳米芯片与5纳米相较,性能增强30%,功耗减少50%。

三星称,晶圆代工同时也持续改善鳍式晶体管(FinFET)制程技术来支援特定产品,以期发挥成本效与竞争力。宣称其17奈米FinFET制程芯片,与28奈米比较,性能增强39%,功率效率增强49%,面积减少43%。

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KooL
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台积电笑而不语

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雲生結海樓
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这条技术路线基本走到头了,下一个方向在哪里

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seankkk2000
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文在寅的深深伤心

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阿拉丁见闻
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国内要加油了

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