三星野心勃勃!未来五年将在芯片等战略领域投入3600亿美元

巨额投资能否助力三星赶超台积电?

5月24日周二,三星电子表示,未来五年内将投资450万亿韩元(约3600亿美元),以加速半导体、生物制药和其他下一代技术的发展,应对日益严重的经济和供应冲击。

该集团在声明中表示,80%的投资(360万亿韩元)将用于韩国国内,其余将投向海外。目前,三星集团旗下的三星电子正在美国德克萨斯州建造一座耗资170亿美元的先进芯片工厂。上周,美国总统拜登访问韩国时在三星电子副会长李在镕陪同下参观了该公司一家最先进的芯片制造工厂。

新一轮的投资计划包含了三星于2021年8月做出的240万亿韩元(约2050亿美元)投资承诺。华尔街见闻提及,三星2021年制定的新三年投资计划较2018至2020年间大幅提升,芯片、医疗和电动车等前沿领域为该计划的重点发力方向。

三星在声明中还表示,这笔高额投资将直接创造8万个就业岗位,主要集中于半导体和生物制药领域。作为韩国最大的企业集团,拥有三星电子和三星生物制剂等子公司的“三星帝国”是韩国经济的重要支撑。

值得注意的是,本次公告中,三星在并未将电动汽车电池当做未来的增长引擎。

周一,三星电子收于66500韩元,今年以来股价已下跌了超15%。

芯片业务赶超台积电?

作为目前全球第二大的芯片供应商,三星一直在致力于提升自己的行业地位。在台积电3nm先进制程进展顺利、英特尔代工业务持续推进的背景下,此番斥巨资加强芯片领域的投资,有望令三星在激烈的芯片竞争格局下保持竞争力。

值得一提的是,启用GAA技术打造3nm节点的三星,抢先台积电于5月23日首次公开了3nm工艺制造的12英寸晶圆。作为一种可显著增强晶体管性能的技术,GAA技术是一种新型的环绕栅极晶体管,通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),主要取代FinFET晶体管技术。

由于台积电的3nm工艺不会采取该技术,因此,三星在3nm节点上的表现也是决定三星能否在芯片工艺赶超台积电的关键。

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