5月26日，AI&半导体板块回暖拉升，芯片方向中存储芯片表现突出。
值得一提的是，全球存储龙头SK海力士股价也连续大涨，近10个交易日股价累计涨逾23%，这一轮从1月3日的相对底部以来，反弹幅度已经达到43.25%，创下近一年新高。
韩国媒体报道称，三星二季度DRAM出货量估环比增长15%至20%，扭转首季环比下滑10%左右的颓势。SK海力士本季出货量环比增长30%至50%，远高于市场共识的20%，反映DRAM厂积极减产降库存策略开始奏效，并将扭转市况从供过于求的趋势。
从行业基本面来看，国金证券指出，当前存储芯片行业正走在2021年下半年以来的下行周期，存储价格有望逐渐接近底部，看2023年二三季度存储板块迎来止跌。
天风证券也表示，从原厂/渠道市场价格、供需结构、厂商业绩、市场空间、地缘政治五个维度分析，存储行业近期利好频传拐点或已现，复苏号角已在耳畔。
AI拉动存储需求爆发
据TrendForce相关数据，服务器和智能手机是DRAM主要的两大应用领域，2022年智能手机和服务器占比分别为38.5%/34.9%合计比例为73.4%，受益于人工智能AI和高性能计算HPC相关新兴领域的应用，华金证券预计2023年服务器将超越智能手机成为DRAM第一大应用领域。
据此前美光在2023财年第二财季电话会议上的内容，一台人工智能服务器DRAM使用量是普通服务器的8倍，NAND是普通服务器的3倍。
那AI具体能拉动多大的存储芯片需求呢？
东吴证券研报对此作了测算，ChatGPT短期/远期拉动算力增量分别为8.652E+21/5.047E+23 TFLOPS。进一步地，以NVIDIA A100产品为基准，假设GPU算力为19.5TFLOPS/s，单个GPU堆叠8个DRAM芯片，则短期/远期拉动DRAM需求增量分别为117384/6847104个。
三星证券也指出，用于AI服务器的128GB DDR5价格，比64GB DDR4高出十倍，而且订单持续增加，HBM的需求也热络。
存储板块多重复苏信号明显，周期拐点或已来临
据国金证券研报，存储器为全球半导体第二细分市场，历史周期走势与全球半导体走势一致，但波动性大于整个半导体行业。
国金证券指出，当前存储芯片行业正走在2021年下半年以来的下行周期，本轮下行周期中，存储器销售增速在2021年年中见顶，2022年增速转负。其认为存储价格有望逐渐接近下行周期底部，看2023年二三季度存储板块迎来止跌。
天风证券也表示，从1）原厂/渠道市场价格、2）供需结构、3）厂商业绩、4）市场空间、5）地缘政治五个维度分析，存储行业近期利好频传拐点或已现，复苏号角已在耳畔。具体来看
1）价格端：海内外原厂23年5月起先后涨价3%-5%，渠道端多积极信号。
国内原厂，长江存储宣布将针对企业级客户调升NAND价格3%-5%。海外原厂方面，在长存宣布涨价后，5月19日传韩国三星电子、SK海力士也将跟进涨价，韩国半导体厂商存储产品的价格涨幅同样在3%~5%，天风证券称市场价格复苏有望快于预期。
2）供给需求端：海外大厂陆续减产/削减资本开支，供需格局改善迹象加速显现。
供给端，各原厂相继减产/削减资本开支，供需格局有望持续改善。2023年4月三星宣布减产规划。早前2022四季度各原厂大幅削减资本开支，如果按正常生产周期3-4个月来看，供给有明显收缩减产效果将在二季度三季度加速显现。
此外，铠侠与西部数据加快合并谈判释放周期见底信号，合并后将控制全球三分之一的NAND闪存市场、与全球最大的存储芯片制造商三星相抗衡（计划中，有不确定性）。合并后竞争格局或将推动存储行业价格进一步触底、复苏拐点更快来临。
库存端，各原厂2023一季度库存均已达到三年来高位，美光库存率先大幅度环比下滑，美光预计未来几个月的供需平衡状况将逐步改善。
需求端，回暖信号明显，中芯国际23一季度业绩说明会表示，嵌入式非挥发性存储器和专用存储器NOR Flash、NAND Flash已看到回暖迹象，相关收入环比增长超过两成。
3）业绩端。中国台湾地区存储原厂方面，年初至今业绩环比复苏趋势明显，开始逐月反弹，以旺宏、南亚科为例，其2023年3、4月业绩分别环比上升36.49%/6.55%和5.95%/5.26%。美系原厂方面，2023一季度美光、西部数据营收同比增速继续下跌但势头趋缓，减产计划下预期下半年将迎来业绩修复。
4）空间端：短期来看2023二季度起规模或将逐季增长，长期来看AI催化下存储需求数倍提升。
短期来看，市场端一季度或将为2023年最低点，闪存市场预测2023二季度起规模或将逐季增长。长期来看，美光预计Al服务器可以拥有常规服务器八倍的DRAM容量和三倍的NAND容量。其表示随着AI应用需求提升，存储行业市场规模有望加速成长。
5）地缘政治端：海外大厂逐步退出利基市场，美光事件发酵。
天风证券认为，全球存储器市场呈现寡头垄断的竞争格局，美光未通过网络安全审查事件或驱动海外原厂加快淡出利基市场。
HBM细分关注度高
存储细分中，这一波AI浪潮里HBM关注度较高，我们来重点说一说。
据方正证券研报，HBM（高带宽内存）是一款新型的CPU/GPU内存芯片，将很多个DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起，实现大容量，高位宽的DDR组合阵列。
HBM通过增加带宽，扩展内存容量，让更大的模型，更多的参数留在离核心计算更近的地方，从而减少内存和存储解决方案带来的延迟。
HBM重新调整了内存的功耗效率，能大幅提高数据处理速度，是当下速度最快的DRAM产品，其每瓦带宽比GDDR5高出3倍还多，且HBM比GDDR5节省了94%的表面积。高带宽、高延迟特性，决定了HBM非常适用于高端GPU显存。服务器上，有HBM+DDR搭配使用的方案，HBM负责高带宽小容量，DDR负责稍低带宽大容量。
研究机构TrendForce表示，随着应用对AI的依赖度增加，需要HBM的加入来支持硬件，HBM有助于突破AI发展中受限的硬件频宽瓶颈，以与AI最相关的FPGA和ASIC来看，FPGA产品有英特尔的Stratix以及赛灵思的Versal导入HBM；而ASIC方面，谷歌的TPU、腾讯的邃思、百度的昆仑皆使用HBM。
国金证券认为，随着全球AI服务器出货占比的提升，对HBM内存需求同比增长有明显的拉动作用,占比逐年提升可期。
市场格局方面，据TrendForce集邦咨询研究显示，2022年三大原厂HBM市占率分别为SK海力士（SK hynix）50%、三星（Samsung）约40%、美光（Micron）约10%，2023-2025年HBM市场CAGR有望成长至40-45%以上，至2025年市场规模有望快速增至25亿美元。
