7月6日，内存板块大涨，德明利、万润科技涨停，香农芯创一度20cm封板，后排雅克科技等也大涨。
消息面上，据证券日报报道，继英伟达之后，近期包括AMD、微软和亚马逊等多个科技巨头开始竞购SK海力士高带宽内存HBM3E，
报道称，目前巨头们正在请求获取HBM3E样本，而样品请求是下订单之前的强制性流程，旨在证明其GPU、其他半导体芯片或云系统以及内存半导体之间的兼容性。这表明产品的良率足够稳定，可以进行量产，标志着交付前的最后阶段。
资料显示，HBM是一种新型的CPU/GPU内存芯片，将多个DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起，实现大容量和高位宽的DDR组合阵列。
目前英伟达的A100及H100，各搭载达80GB的HBM2e及HBM3，在其最新整合CPU及GPU的Grace Hopper芯片中，单颗芯片HBM搭载容量再提升20%，达96GB。另外，AMD的MI300也搭配HBM3。
事实上，此前该产品一度价格飙涨。据半导体风向标称，2023年开年后三星、SK海力士两家存储大厂HBM订单快速增加，HBM3规格DRAM价格上涨5倍。HBM3原本价格大约30美元每GB，现在的价格怕是更加惊人。
而除英伟达和AMD两大巨头外，市场研究公司TrendForce表示：“亚马逊网络服务和谷歌等主要云服务公司正在开发自己的专用集成电路（ASIC）和配备英伟达 GPU的AI服务器，是当前HBM激增的推动力之一。”
行业格局上，目前SK海力士为唯一量产新世代HBM3供应商，而行业整体上由三巨头垄断，分别为SK海力士50%、三星约40%、美光约10%。新思界预测2025年中国HBM需求量将超过100万颗。
台积电新封测技术也被带动
芯片封装技术的进步速度慢于晶圆制造技术，这导致芯片数据传输速率的提升低于芯片算力的提升，传输带宽已经成为限制芯片性能的瓶颈之一。因此各种2.5D、3D先进封装技术将成为AI等高性能计算场景中算力提升的关键。
在GPU、HBM等需求带动下，其封装技术COWOS也开始被加码。
目前台积电的CoWoS-S技术是目前HBM与CPU/GPU处理器集成的主流方案。业内消息称，由于CoWoS需求高涨，台积电于6月底向设备厂商启动第二波追单，同时要求供应商全力缩短交期支援，预期今年第四季至明年首季将进入大量出机高峰。
据集邦咨询观察，在英伟达A100及H100等需求带动下，对CoWoS产能较年初需求量，估提升近5成，加上AMD、Google等高端AI芯片需求成长下，将使下半年CoWoS产能较为紧迫，而此强劲需求将延续至2024年，预估若在相关设备齐备下，先进封装产能将再成长3-4成。
内存行业价格即将触底？
然而有意思的是，与HBM货源紧缺相对应的，是NAND Flash价格一路下跌。
据集邦咨询数据显示，NAND Falsh售价今年一季度平均下降10-15%，二季度价格进一步下跌，DRAM价格跌幅扩大至18%，NAND扩大至13%。与此同时，据集邦咨询最新预测，第三季NAND Flash市场仍处于供给过剩，NAND Flash均价预估将续跌3-8%。
不过集邦咨询同时指出，第三季NAND Flash Wafer均价预估将率先上涨，预期2023年第三季起将转为上涨，涨幅约0-5%，2023年第四季涨幅将再扩大至8-13%；SSD、eMMC、UFS等模组产品，则因下游客户拉货迟缓，价格续跌，估第三季整体NAND Flash均价持续下跌约3-8%，第四季有望止跌回升。
民生证券也指出，美光资本开支于23年一季度开始出现明显下降，2023年全年资本开支计划为70亿美元，同比将下降40%以上，并且预计到24年WFE支出仍将继续同比下降。
其认为，从产量看，DRAM与NAND产量相比于Q2（减产25%）将进一步减产30%，同时减产将持续到24年。此前海力士也发布23年Q1财报，资本开支在22年Q2后保持下降趋势，且库存也望迎来拐点。
民生证券：四大新型新型存储有望成未来
除了HBM外，民生证券在最新研报中表示，CPU与存储芯片间的“性能墙”与各级存储芯片间的“存储墙”成为限制传统存储器应用于新兴领域的两座难关。
其指出，基于材料介质改造或技术升级的PCRAM（相变存储器）、MRAM（磁存储器）、ReRAM（可变电阻式存储器）和FeRAM（铁电存储器）四大类新型存储，或将成为未来存储器的发展趋势之一。
具体来看：
1）PCRAM是通过改变温度实现相变材料电阻变化，以此为基础存储数据信息。PCRAM目前无物理极限，厚度2nm的相变材料可以实现存储功能，因此可能解决存储器工艺的物理极限问题，成为未来通用的新一代半导体存储器件之一。
国际厂商英特尔先后与三星、美光合作开展PCRAM研发，国内厂商时代全芯也已掌握研发、生产工艺和自主知识产权。但PCRMA对温度的高敏感度、存储密度过低、高成本、低良率等问题限制其大规模产业化，2021年美光宣布停止基于3DXPoint技术产品的进一步开发。
2）MRAM可分为独立式和嵌入式两种技术。其中，独立式MRAM目前已经应用于航空、航天、军工等对可靠性要求较高的领域，但市场规模较小。嵌入式MRAM已成功进入MCU嵌入式系统，并逐步替代慢速SRAM成为工作缓存新方案，应用于相机CMOS等。未来嵌入式MRAM更具成长空间，提速降价后有望替代SRAM或eDRAM等高速缓存，进入手机SoC和CPU等产品。
3）ReRAM则是以基本单位电阻变化存储数据。Data Bridge测算2022年全球ReRAM市场规模为6.07亿美元，预计2030年有望达到21.60亿美元。松下、富士通等为ReRAM产品主要设计厂商，国内兆易创新与昕原半导体也基本实现商业化。
其中，独立式ReRAM目前在工业级小容量存储得到广泛应用，并在IoT领域逐步替代NORFLASH，突破容量和读写速度后有望替代闪存进入企业级存储市场。嵌入式ReRAM目前已替代eFLash可用于模拟芯片内，进一步有望进入MCU芯片等，技术长足发展后有望进入CPU作为最后一级高速缓存。
4）而FeRAM具有非易失性、读写速度快、寿命长、功耗低、可靠性高等特点。小部分FeRAM产品已实现量产。但FeRAM存储密度较低，容量有限，无法完全取代DRAM与NANDFlash，在对容量要求不高、读写速度要求高、读写频率高、使用寿命要求长的场景中拥有发展潜力。
国际厂商英飞凌、富士通等已实现FeRAM在汽车电子的应用，国内厂商汇峰已实现130nm制程FeRAM产品小批量量产。目前FeRAM技术瓶颈尚在，仍需继续研究突破。
