存储芯片价格触底反弹 | 见智研究

下行周期要提前结束了。

在经历了漫长的行业下行周期之后,存储芯片的价格终于迎来曙光。

从2022年开始,存储芯片行业进入高库存、低需求状态,价格快速下跌。

早在2022年三季度,见智研究曾预判本轮存储芯片的下行周期要好于2018年下行周期,可参见此前文章《旺季不旺,但这次存储芯片下行周期更短

此前市场共识是:服务器成为扭转本轮周期供需拐点的关键。

而现在变量又增加了智能手机的需求回暖。

智能手机成为存储芯片需求增长的又一驱动因素

摩根士丹利最新报告中指出,NAND价格已触底。

群联目前已看到来自大陆的模组与智能手机客户需求增强,部分客户甚至已接受了30%至35%的价格上涨。

野村证券也发布了存储芯片涨价的预期:

第三季主要存储芯片价格已趋稳定或上升,价格较高的HBM、DDR5和LPDDR5X组合增加,使存储芯片平均单价有望上涨5%-10%。

另据Digitime报道称:

国内NAND Flash模组厂近日已暂停报价及接单,将配合原厂(三星)报价调高8%-10%。

预计此举将有望拉动NAND Flash价格逐步回升到制造成本线。

原本市场普遍预计23H2存储芯片行业将重新回到供需平衡点。

但当下,受益于智能手机需求回暖的刺激因素,导致上游供应链有需求复苏加快的迹象出现。

目前存储芯片客户对提价接受度较高。预计最快本月开始,部分存储芯片厂商将开始涨价,将覆盖此前跌幅较大的NAND和DRAM,智能手机应用更多的闪存NAND。

H100 AI处理器明年产能扩增3倍,HBM需求超预期

HBM受AI服务器需求的持续放量,价格依旧有强劲增长动力。

HBM(High Bandwidth Memory) 是一款新型内存芯片,本质上是将很多个DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起,实现大容量,高位宽的DDR组合阵列。

HBM以其高吞吐高带宽的优势,在DRAM的整体颓势之中,价格逆势增长,A100计算卡配备的是80GB的HBM2e显存,而新一代的Ada计算卡更是配备了HBM3显存。

受AI芯片需求的增长,英伟达年内加大三星和海力士的HBM订单。

英伟达GH200单颗芯片需要480GB LPDDR5内存+96GB的HBM显存。而上一代DGX H100服务器中,平均单颗H100芯片对应256GB内存,以及80GB的HBM。

根据此前TrendForce的预测:

2023年HBM需求量同比增长58%,2024年有望再增长约30%。

8月底,英伟达计划将H100 AI处理器产能拉高至少三倍,预测明年的出货量将介于150~200万颗,远多于今年的50万颗。

意味着HBM明年需求增速很可能要超预期。

另外值得关注的是:存储厂商群联已进入英伟达AI服务器供应链,其Re-timer产品采用PCI-E GEN 5规格,每颗报价20-30美元,预计明年上半年将正式获得采用。

见智研究依旧保持此前观点,认为本轮存储芯片的下行周期比上一轮更短。存储芯片价格企稳反弹加上备货旺季到来,市场备货需求回暖,整体出货节奏加快。

预计存储芯片23H2重新迎来供需拐点,24年DRAM供不应求。

复盘本轮周期,三星、美光等大厂今年巨亏之下坚定通过降低资本开支、减产调节库存、控制市场过剩的供应总量。

随着下游需求企稳,特别是Q3-Q4,以智能手机为代表的消费电子,进入新品发布高峰期、叠加促销活动开启,需求有望进一步回暖。

厂商备货将提前在上游存储芯片供应链中有所表现。

 

风险提示及免责条款
市场有风险,投资需谨慎。本文不构成个人投资建议,也未考虑到个别用户特殊的投资目标、财务状况或需要。用户应考虑本文中的任何意见、观点或结论是否符合其特定状况。据此投资,责任自负。
相关文章