由于HBM售价高昂、获利高，进而造就广大资本支出投资。据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷预估，截至2024年底，整体DRAM产业规划生产HBM TSV的产能约为250K/m，占总DRAM产能（约1,800K/m）约14%，供给位元年成长约260%。此外，2023年HBM产值占比之于DRAM整体产业约8.4%，至2024年底将扩大至20.1%。
HBM供应市况紧俏，2024年订单量持续攀升
吴雅婷表示，以HBM及DDR5生产差异来看，其Die Size大致上较DDR5同制程与同容量（例如24Gb对比24Gb）尺寸大35～45%；良率（包含TSV封装良率），则比起DDR5低约20～30%；生产周期（包含TSV）较DDR5多1.5~2个月不等。
HBM生产周期较DDR5更长，从投片到产出与封装完成需要两个季度以上。因此，急欲取得充足供货的买家需要更早锁定订单量，据TrendForce集邦咨询了解，大部分针对2024年度的订单都已经递交给供应商，除非有验证无法通过的情况，否则目前来看这些订单量均无法取消（non-cancellable）。
TrendForce集邦咨询观察，以HBM产能来看，三星、SK海力士（SK hynix）至今年底的HBM产能规划最积极，三星HBM总产能至年底将达约130K（含TSV）；SK海力士约120K，但产能会依据验证进度与客户订单持续而有变化。另以现阶段主流产品HBM3产品市占率来看，目前SK海力士于HBM3市场比重逾9成，而三星将随着后续数个季度AMD MI300逐季放量持续紧追。
本文来源：TrendForce集邦（ID:TRENDFORCE），原文标题：《研报丨2024全年HBM供给位元年增预估高达260%，产能将占DRAM产业14%》
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