随着英伟达透露计划从韩国芯片巨头三星电子那里获得尖端组件的订单，争夺新兴高带宽存储芯片市场领导地位的竞争变得越来越激烈。
在上周的媒体吹风会上，英伟达联合创始人兼首席执行官黄仁勋公开支持三星电子，并透露该公司未来计划使用这家韩国芯片制造商的 HBM 芯片。美国英伟达是先进 HBM 芯片的最大买家，该芯片已成为人工智能图形处理单元的关键组件。
“HBM 内存非常复杂，附加值非常高。我们在 HBM 上投入了大量资金，”黄仁勋周二在加州圣何塞举行的该公司年度 GPU 技术会议的媒体吹风会上表示。
“我还没有使用三星的 HBM3E。我目前正在验证它，”他补充道。“三星非常好，一家非常好的公司。”
黄仁勋还参观了在 GTC 活动中设立的三星展厅。他在三星 12 堆栈 HBM3E 侧面留下了“Jensen 批准”的简短评论，引发了人们对 Nvidia 正在对最新型号进行资格测试的猜测。这位Nvidia首席执行官没有参观SK海力士的展位。
对于黄仁勋公开支持三星，行业官员解释说，英伟达可能希望采取多供应商战略，以降低只有一家供应商的风险。
“从买方的角度来看，产品中的关键部件只有一家供应商会感到不安全。他们希望与多个供应商合作，以确保在采购交易中获得更高的杠杆作用，”一位不愿透露姓名的行业官员解释道。
“（英伟达首席执行官）提到三星可能会有不同的解释，因为这意味着三星的产品尚未通过资格测试。”
当开发新的存储芯片时，它们会经过资格测试过程以验证其与客户产品的兼容性。当芯片合格时，就意味着它已经准备好开始批量生产。
HBM 芯片作为一项新技术已成为人们关注的焦点，它垂直堆叠 DRAM 芯片以提高数据处理速度。HBM3 目前被广泛使用，但芯片制造商正在推出扩展版本 HBM3E。
SK海力士预计将成为第一家向英伟达交付八堆栈HBM3E的供应商，该公司宣布已开始量产，并计划在本月底向英伟达供应先进芯片。
为了确保优势，三星宣布已开发出12堆栈HBM3E，容量为业界最大36GB，并表示计划于今年上半年开始量产。这家芯片巨头还确认，正准备在 6 月和 7 月左右批量生产八堆栈 HBM3E。
美光科技还表示，将于今年上半年开始量产HBM3E，并将产品交付给Nvidia。
虽然就收入而言，HBM 芯片目前仅占整个存储芯片市场的 1% 左右，但随着生成式 AI 热潮，预计其份额将迅速扩大。
“随着生成式人工智能的出现，所有数据中心的DDR RAM都将被HBM取代，三星和SK海力士的升级周期将是巨大的，”黄补充道。
根据市场追踪机构 TrendForce 的数据，SK 海力士目前是 HBM 市场的领导者，占据约 53% 的市场份额，而三星则占据约 38% 的份额。美国美光科技公司占据剩余 9% 的份额。
在周三的例行股东大会上，负责公司芯片部门的三星总裁 Kyung Kye-hyun 表示，“今年将是（三星）全面复苏和增长的一年。”
“我们将在未来两到三年内夺回全球芯片行业第一的位置。”他还表示，公司将于今年上半年开始量产12叠层HBM3E芯片。
文章来源：半导体行业观察，原文标题：《HBM竞争，白热化》