在AI需求推动下，内存市场一季度传统淡季“不淡”，价格上涨超出市场预期。
韩国2月半导体产量同比激增65.3%，创下自2009年以来的最高记录，分析预计4月内存出口同比增长将超100%。
野村证券在周一的报告中，内存市场可能正处于超级周期中，一季度迎来量价齐升：
价格方面，2024年第一季度，内存价格上涨幅度超出市场预期。DRAM混合平均售价环比增长超过20%，而NAND价格更是跳涨了25-30%，预计第二季度（2Q24F）价格将继续上涨。
出货量方面，一季度半导体和内存出口分别环比增长了5%和12%。尽管DRAM出货量预计环比下降约15%，但商品价格预计环比上涨了15-20%。根据我们的估计，包括HBM在内，混合平均售价环比增长超过20%。
NAND的出货量可能保持稳定，但价格将显著上涨25-30%。按产品分类，AI服务器对HBM的需求极强，企业SSD的内存需求也在增长。移动DRAM/NAND需求相对较弱，而PC内存和SSD需求预计将在2024年下半年随着AI PC销售的增长而上升。
展望今年，野村预计，今年内存价格将继续上涨
2Q24F DRAM价格将环比增长高个位数至10%，一季度高价格增长放缓，但仍然高于我们认为的市场预期。由于高溢价HBM3E/HBM3（高带宽内存）供应的扩大，混合平均售价也可能增长10-20%。尽管一些NAND厂商的利用率恢复，但我们认为，NAND价格也将环比增长超过10%。
HBM的竞争加剧，预计将限制商品DRAM的供应，并推动商品价格上涨。海力士和美光已获得HBM3E资格，三星也在进行相关资格认证。由于行业竞争加剧，HBM容量的增长可能超出预期，这可能导致DRAM价格在2Q24F底部增加超过50%。
野村维持对SK海力士和三星电子的买入评级，尽管市场对内存公司收益的预期正在上升，但仍低于野村的预期。野村认为，鉴于AI公司的技术进步和商业利用情况好于预期，内存市场的未来表现可能比市场当前预期更为乐观。