AI需求火爆，世界第二大内存芯片制造商SK海力士一季度营收猛增，在存储芯片市场全面回暖之际，今年资本支出将略高于计划水平，并将增加HBM3E芯片的供应，吸引更多客户。
4月25日，SK海力士发布了2024财年第一季度（截至2024年3月31日）财报，一季度营收和盈利均高于预期，收入达到12.4296万亿韩元，增长超一倍，创历史同期新高。
财报指出，凭借其核心HBM存储系统在技术方面的领导力，一季度营业利润达到2.886 万亿韩元，同比扭亏为盈，环比大增734%，远高于分析师预期的1.8万亿韩元，创下2018年以来第二高水平，一季度营业利润率为23%，净利润率为15%，毛利率为39%。
受算力驱动，HBM存储器优势凸显，在AI时代迅速崛起，海力士围绕HBM积极扩产，并于3月宣布量产新一代HBM3E高带宽存储芯片，上周五表示已与台积电签署了协议，合作生产下一代高带宽内存HBM4芯片。
考虑到计划的大规模投资，SK海力士预计今年的总资本支出将超过2024年最初计划，除了计划增加投资以满足不断增长的客户需求外。SK海力士还将根据市场趋势提高传统DRAM供应，预计将带动全球存储器市场稳步增长，提升公司的投资效率和财务稳健性。
该公司首席财务Kim Woohyun表示:“凭借HBM领域业内最佳技术，已进入明显的复苏阶段。我们将继续致力于在正确的时间提供业内性能最佳的产品，坚持盈利优先，以改善财务业绩。”
截至发稿SK海力士下跌2.8%，今年以来，SK海力士的股价上涨超22.6%。
HBM需求猛增
SK海力士在财报中强调，因HBM存储系统在技术方面的领导力，公司AI服务器产品销量增加，盈利能力稳步提高，带动营业利润环比大增734%。预计随着AI存储器需求持续增长，传统DRAM市场从下半年开始复苏，整个存储器市场将在未来数月保持稳步增长。
SK海力士决定增加3月率先实现量产的HBM3E供应量，并拓展其产品的客户群基于第五代10纳米工艺(1bnm)的32Gb DDR5产品，巩固在高容量服务器DRAM市场的领导地位，预计二季度DRAM B/G季环比增幅将处于10%-20%区间的中部。
立体堆叠的高带宽内存（High Bandwidth Memory）兼顾带宽和容量，较其他存储器有高带宽、低功耗、面积小的三大特点，完美契合大模型的要求。分析师指出，HBM作为今后AI时代的“必备材料”，虽然在内存市场中比例还不大，但盈利能力是其他DRAM的5~10倍
就NAND闪存而言，财报强调，随着高端eSSD产品的销售比重提升，而且平均售价（ASP）也有所上升，成功实现扭亏为盈，对公司具有重要意义。
在NAND方面会进一步推进产品优化，维持盈利复苏趋势，一方面将大力提升在16通道eSSD(公司具有技术优势)和其美国子公司Solidigm基于QLC的高容量eSSD的销量，并将尽早推出第五代用于AI电脑的PCIe cSSD，优化的产品阵容响应市场需求。
HBM供不应求，海力士积极扩产
目前，只有SK海力士、三星电子和美光能够提供HBM芯片，这些芯片可以与强大的GPU配对，如英伟达的H100系统，用于AI计算。2023年HBM市场规模为40亿美元，预计2024年增长至150亿美元，到2026年增长至接近250亿美元，年复合增速高达80%以上。
SK海力士则为HBM领域龙头，Trendforce集邦咨询估计，SK海力士今年可能获得全球市场52.5%的份额，其次是三星（42.4%）和美光（5.1%）。
SK海力士和台积电宣布合作后，台积电的先进封装技术则有助于HBM芯片和图形处理单元（GPU）高效协同工作，进一步扩大SK海力士的市场份额。
4月初，SK海力士宣布将斥资38.7亿美元在印第安纳州西拉斐特市建立一座先进封装厂和人工智能产品研发中心。
在财报发布前，SK海力士计划投资约过20万亿韩元（约合146亿美元）在韩国清州市建立一座先进的存储芯片工厂，扩大包括HBM在内的下一代DRAM的产能，以应对快速增长的AI需求。
公司将投资约5.3万亿韩元建设M15X晶圆厂，作为新的DRAM生产基地，目标于2025年11月竣工并尽早量产。随着设备投资计划逐步增加，新生产基地建设总投资长期将超过20万亿韩元。
