本文作者：赵颖
本文来源：硬AI
5月8日，天风国际证券分析师郭明錤发布预测更新指出，英伟达下一代AI芯片R系列/R100 AI芯片或将在2025第四季度量产，系统/机架解决方案预计将在2026年上半年量产。
郭明錤指出，R100将采用台积电的N3制程与CoWoS-L封装，预计将搭配8颗HBM4。
相比之下，英伟达3月新发布的“最强AI芯片”B100采用N4P制程工艺，封装同样采用CoWoS-L 封装。B100标志着在短短8年内，Nvidia AI 芯片的计算能力实现了提升1000倍
而GR200集成系统的Grace CPU 将采用台积电的N3 工艺，GH200和GB200的 Grace CPU采用台积电的N5工艺。
此外，R100 采用约4倍reticle设计（B100为3.3x），R100的中介层（Interposer）尺寸尚未最终确定，有2-3种选择。
值得一提的是，耗能改善也为设计重点，郭明錤表示：
英伟达已理解到人工智能服务器的功耗能已成为客户采购和数据中心建设的难题，因此R系列的芯片与系统方案，除提升AI算力外，还注重改善功耗。
在上一代芯片设计中，与H100相比，GB200的成本和能耗降低了25倍，黄仁勋表示，此前训练一个1.8 万亿参数模型，需要8000 个 Hopper GPU 并消耗15 MW电力。但如今，2000 个 Blackwell GPU就可以实现这一目标，耗电量仅为4MW。
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