在人工智能和先进计算需求的强劲推动下，全球半导体巨头正在掀起新一轮大规模投资热潮。近日，业界陆续传出了台积电和SK海力士未来数年的巨额投资计划。
台积电方面，周一有媒体援引业界消息报道称，公司2025年资本支出有望达到320亿至360亿美元，同比增长12.5%至14.3%，创下历年次高。这一投资主要用于2nm等最先进制程的研发和产能扩充。
韩国SK海力士则计划到2028年投资高达748亿美元，其中80%将用于高带宽内存（HBM）芯片的研发和生产。
2nm需求超预期，台积电明年资本支出冲高
业内消息称，因持续加码2nm等最先进制程相关研发加上2nm后续需求超乎预期强劲，台积电2025年资本支出有望达到320亿美元至360亿美元区间，为历年次高，年增12.5%至14.3%。
据悉，台积电计划在2025年实现2nm制程量产，量产曲线预计与3nm类似。
此前有媒体报道称，为了满足台积电2nm制程的量产，设备厂正如火如荼交机，尤其是EUV光刻机，预计今明两年共将交付超过60台EUV，总投资金额超过4000亿元（约合550亿美元）。
客户方面，值得注意的是，除了苹果公司率先预定首批2nm产能外，其他非苹果客户也因AI需求旺盛而积极采用该技术。
对该传闻，台积电不做评论，并重申了有关资本支出和2nm技术的进展，以4月法说会内容为主。
当时，台积电强调，资本支出和产能规划是基于长期的结构性市场需求。2024年资本支出预计将介于280亿至320亿美元之间。
报道还称，台积电正在按计划扩大先进制程的产能：
其台南3nm工厂将于今年第三季度进入量产阶段，明年P8工厂也将陆续导入EUV光刻机。与此同时，新竹宝山2nm工厂在未来三年将保持EUV设备的强劲拉货动能，高雄2nm工厂的建设也在同步进行中。
SK海力士：向HBM投资600亿美元
全球第二大内存芯片制造商韩国SK海力士公司公布了雄心勃勃的投资计划。
周日，SK海力士宣布，计划到2028年投资高达103万亿韩元（约合748亿美元），其中80%（约为600亿美元）将用于HBM芯片的研发和生产。
SK海力士在HBM技术领域一直处于领先地位，今年3月，SK海力士开始大规模量产HBM3E芯片，并将下一代HBM4芯片的量产时间提前到2025年。
作为SK海力士押注AI的一部分，SK电信公司和SK宽带公司还将在数据中心业务上投资3.4万亿韩元，进一步完善集团的AI生态系统。
虽然这是SK海力士首次披露到2028年的投资计划，但 SK 海力士今年已宣布了一系列投资计划，包括在美国印第安纳州投资38.7亿美元建设先进封装工厂和 AI 产品研究中心，并在韩国本土投资146亿美元建设新的内存芯片综合体。
鉴于蓬勃增长的AI芯片需求，SK海力士计划，到2026年通过运营和业务改革创造80万亿韩元的收入。
此外，SK海力士计划在三年内确保30万亿韩元的自由现金流，以将其债务权益比控制在100%以下。尽管去年集团亏损10万亿韩元，但预计今年的税前利润将达到22万亿韩元，并计划在2026年将这一数字提高到40万亿韩元。
