三星电子在高带宽内存（HBM4）领域取得关键进展，其芯片已通过量产准备认证（PRA），并准备向英伟达供货。
12月2日，据媒体报道，三星电子近日完成了HBM4的量产准备认证（PRA）。该芯片已达到三星内部量产标准，公司计划加快其进入英伟达供应链的步伐。
若获得英伟达的供货资格，三星电子在AI芯片供应链中的地位将显著提升。英伟达CEO黄仁勋此前表示不排除与三星电子合作的可能性。他强调：“三星的HBM显存芯片测试合格，合作进展顺利。”
此前，在HBM4供应谈判中，SK海力士已取得主导地位，成功将芯片单价推高逾50%至每颗500美元以上，进一步巩固了其在高端存储市场的定价优势。
三星电子加速追赶，内部测试传来利好消息
三星电子近日已完成HBM4的量产准备认证（PRA）。作为三星内部质量认证流程的最后一步，PRA被视为产品量产的关键节点，意味着其HBM4已达到公司内部量产标准。行业普遍认为，此次通过PRA将对其后续通过英伟达最终质量测试（Qualtest）产生积极影响，并加速进入英伟达供应链进程。
三星电子最初计划在年内完成HBM4性能评估并启动量产，但因此前未通过英伟达质量测试而转向专注设计优化，重点改进散热表现等关键指标。近期，公司通过优化基于1c节点的DRAM成熟度，并结合4纳米逻辑工艺提升基础芯片性能，显著缩小了与竞争对手的技术差距。
值得关注的是，HBM4的制造依赖DRAM工艺、基础芯片设计与TSV对准精度等多种技术的复杂整合，这些因素共同决定了芯片的发热控制与能效水平。三星电子的突破，有望改变当前HBM市场的竞争格局。目前，英伟达正积极确保HBM供应，以为其下一代GPU“Rubin”在明年下半年的量产做准备，这为三星电子提供了重要市场窗口。
SK海力士抢占先机，HBM4涨价逾50%获英伟达认可
SK海力士在与英伟达的HBM4供应谈判中展现强势议价能力。该公司成功将HBM4价格推升至“500美元中半带”，较前代产品涨幅超过50%。这一价格调整充分反映出其在高端HBM市场的优势地位。
技术升级为大幅提价提供支撑。HBM4的数据传输通道(I/O)达到2048个，是前代HBM3E的两倍。考虑到技术进步带来的成本增加，SK海力士已将此前自主生产的基础芯片外包给台积电，以优化供应链并控制整体成本。
尽管英伟达最初对大幅涨价表现抗拒，并曾考虑三星电子和美光未来可能的大规模供应，导致双方谈判一度陷入僵持，但最终供应价格仍敲定在SK海力士提议的水平。SK海力士高管强调，考虑到工艺进步和投入成本，HBM4具备大幅提价的结构性因素。
