在全球存储芯片市场因供需紧张和需求强劲而迎来价格飙升之际，三星电子与SK海力士即将于1月29日同日发布2025年第四季度财报。这将是两大巨头首次在同一天公布业绩，不仅标志着存储行业的周期性复苏进入关键阶段，更因双方在利润表现、未来资本开支及下一代高带宽内存（HBM）技术上的激烈博弈而备受投资者关注。
最新的业绩前瞻显示，三星电子有望交出一份历史性的季度答卷，其第四季度营收预计突破90万亿韩元，营业利润同比激增208%，或成为首家单季营业利润突破20万亿韩元的韩国企业。这一强劲表现主要得益于其存储半导体业务的迅猛反弹，不仅大幅缩小了与SK 海力士的盈利差距，更有望在随后的季度实现反超。与此同时，尽管SK海力士因高度依赖HBM而受制于传统DRAM价格上涨带来的红利有限，但市场仍预计其季度营业利润将达到至少18万亿韩元。
此次财报发布的另一大看点在于两家公司对2026年业绩峰值的展望及资本支出计划。随着内存供应紧张局面预计将持续至2027年，分析师普遍预测两大巨头将在2026年双双迈入“100万亿韩元营业利润俱乐部”。此外，两家公司在下一代HBM4芯片供应上的竞争态势也将成为焦点，尤其是双方已向英伟达交付付费最终样品，这直接关系到未来高利润市场的份额分配。
投资者正密切留意此次财报电话会议中关于产能扩张和技术路线图的信号。市场普遍预期，三星将大幅增加在存储领域的投资以提升HBM产量及推进得克萨斯州Taylor工厂建设，而SK 海力士的资本支出预计将在2026年突破30万亿韩元，重点投向M15X晶圆厂及龙仁半导体集群。
利润差距显著收窄
随着商品DRAM价格自2025年下半年起反弹，以及主流DRAM出货量的增加，三星电子的存储部门盈利能力正在快速恢复。据ZDNet引用的预测数据，三星电子存储半导体业务的营业利润预计将在17万亿韩元的高位区间。如果整体财报预测成真，三星将不仅创下营收同比增长22.7%的佳绩，更有望成为韩国历史上首个单季营业利润达到20万亿韩元（约合138.2亿美元）的企业。
相比之下，SK海力士虽然最初预计营业利润在16至17万亿韩元之间，但据ZDNet引用的行业消息，其第四季度营业利润现已被上调至至少18万亿韩元。然而，分析指出，由于SK海力士的业务结构更侧重于HBM，这在一定程度上限制了其从近期传统DRAM价格飙升中获取的收益幅度。
市场普遍预期这一追赶态势将在2026年第一季度发生逆转。根据ZDNet的报道，随着商品DRAM价格预计再次大幅上涨，三星存储部门的营业利润有望在该季度超越SK海力士。TrendForce的数据显示，2026年第一季度主流DRAM的平均售价预计将环比跳涨55%至60%。
2026年或迎业绩巅峰
在内存供应紧张预计将延续至2027年的背景下，两家韩国存储巨头正蓄势待发，准备在2026年迎来业绩巅峰。据媒体报道，分析师预测SK海力士在2026年的销售额将超过165万亿韩元，营业利润突破100万亿韩元。与此同时，麦格理和KB证券的投行报告指出，三星电子2026年的营业利润也可能达到约150万亿韩元，这意味着两家公司都将稳固地迈入“100万亿韩元营业利润俱乐部”。
为了支撑这一增长预期，巨额资本支出计划已在酝酿之中。尽管官方尚未发布详细计划，但据The Bell此前报道，SK海力士的资本支出在2024年达到10万亿韩元的高位区间，2025年增至20万亿韩元的中段区间，并预计在2026年超过30万亿韩元。媒体称，该公司已将数百亿韩元投入清州M15X晶圆厂和龙仁集群项目。
三星方面同样计划激进扩张。媒体报道称，三星计划在2025年DS部门支出40.9万亿韩元的基础上，于2026年大幅增加存储领域的投资。其关键优先事项包括提升HBM产量、扩建平泽DS基地以及推进得克萨斯州Taylor晶圆厂的建设。
HBM4技术竞赛白热化
除了财务数据，两大巨头在HBM4领域的争夺战也在升温。TrendForce指出，英伟达在2025年第三季度修改了其Rubin平台的HBM4规格，将单引脚速度要求提高至11 Gbps以上，这迫使三大HBM供应商必须修改设计。
据SeDaily报道，三星和SK海力士已于2025年底开始向英伟达交付付费的HBM4最终样品。行业预计，具体的供应量和定价将在2026年第一季度锁定，TrendForce补充称，最终结果将在本季度中后期合同正式敲定后明朗化。
在这场技术竞赛中，三星试图通过采用1Cnm工艺制造HBM4，并利用先进的内部代工技术生产基础裸片来挑战SK 海力士，这有望提供更高的传输速度。尽管如此，TrendForce指出，SK 海力士已经获得相关合同，并预计在2026年仍将保持在HBM总供应量中的主导份额。
