美光科技正寻求在AI内存领域开辟新赛道——将图形内存（GDDR）像高带宽内存（HBM）一样垂直堆叠，以填补HBM与普通GDDR之间的市场空白。
据韩国电子新闻（ETNews）报道，美光已启动GDDR垂直堆叠新产品的开发工作，计划于今年下半年完成相关设备部署并进入工艺测试阶段。
初期预计实现约四层的GDDR堆叠，最快明年推出样品。这一布局早于三星电子和SK海力士，有望令美光在这一新兴细分市场抢占先机。
此举的背景是AI应用场景持续扩展带动内存需求加速分化。GDDR凭借成本优势，正被越来越多地应用于AI推理加速器，但其带宽瓶颈限制了进一步渗透。通过堆叠技术提升GDDR的性能，或将为这一市场打开新的增长空间。
GDDR堆叠：定位HBM与普通内存之间的价格带
GDDR是一种专为视频处理和3D图形渲染优化的内存，长期以来主要应用于显卡和游戏设备。与HBM相比，GDDR带宽较低，但价格更具竞争力，近年来已开始进入部分AI加速器。
美光此次开发的堆叠GDDR产品，目标是打造一款性能介于HBM与普通GDDR之间的新品——带宽优于现有GDDR，但成本低于HBM。该产品规格目前已在与AI加速器等客户的需求对接中进行讨论，市场方向明确指向客户定制需求。
分析人士认为，堆叠GDDR将占据HBM与非堆叠GDDR之间的中间市场，同时也有望在持续增长的高性能游戏显卡领域获得可观需求。AI市场规模扩大推动了多元化产品需求——英伟达在推理专用芯片中采用SRAM，正是这一趋势的典型案例。
技术壁垒与成本控制是量产关键
尽管市场前景受到关注，GDDR堆叠技术目前仍处于早期阶段，此前仅见于学术论文和前沿技术研究，尚无量产先例。
业界指出，美光面临多项技术挑战，包括GDDR芯片间的堆叠互联方式、功耗管理及散热控制等。在成本层面，堆叠工艺引入的额外制造费用同样不可忽视——若无法相对于HBM保持足够的性价比优势，产品的市场竞争力将大打折扣。
一位行业人士表示：
"过去，除技术问题外，GDDR堆叠的市场定位模糊，是其商业化迟迟未能推进的重要原因。随着AI内存市场格局演变，GDDR堆叠的必要性开始凸显，美光此次尝试有望成为新一轮内存堆叠竞赛的起点。"
抢跑三星与SK海力士，布局新兴细分赛道
美光此次入局GDDR堆叠，具有明显的先发战略意图。目前三星电子和SK海力士尚未公开宣布类似计划，美光若能率先实现技术突破并完成商业化，将在这一细分领域建立竞争壁垒。
从市场规模来看，堆叠GDDR当前仍属于利基市场。但随着AI推理应用的持续普及以及多样化加速器硬件需求的增长，其潜在空间不容小觑。
美光显然已将这一判断纳入产品战略，选择在市场格局尚未明朗之际率先落子。
