高盛谈“DRAM市况”:基本面稳健,但市场情绪转弱

高盛表示,DRAM供需基本面的韧性与投资者情绪走弱之间的分歧正在加剧。DRAM市场服务器需求强劲,AI拉动效应持续显现,韩国2月DRAM出口同比增长322%,创2008年1月以来最高增速。但DDR5现货价格回调加上TurboQuant引发的内存需求效率优化担忧,在短期内构成压力。

3月的DRAM市场出现了一个微妙的分叉:供需基本面没有恶化,但投资者的信心却比上个月明显退了一步。高盛认为DRAM基本面依然强劲。

据追风交易台,高盛3月30日发布的最新DRAM情绪指标报告显示,DRAM市场整体读数维持"略微正面",但较2月的"温和正面"下调一档,供需基本面的韧性与投资者情绪的走弱之间的分歧正在加剧。

报告指出,韩国2月DRAM出口同比增长322%,创2008年1月以来最高增速;中国台湾DRAM厂商Nanya Tech同月营收同比暴增587%,连续七个月实现三位数增长,供需层面的强劲信号依然清晰。

然而,DDR5现货价格回调、中国智能手机出货连续三个月两位数下滑,加上TurboQuant引发的内存需求效率优化担忧,都在短期内构成压力。但更长时间维度上,AI应用扩张带来的总需求增长逻辑尚未被打破。

现货定价分化,DDR5现软化迹象

DRAM现货价格在3月出现明显分化。截至3月27日,DDR4现货价格较2月底小幅上涨1%,而DDR5现货价格则下滑5%。

报告认为,DDR5现货价格的走软与2025年12月的短暂回调如出一辙,主要原因在于现货价格相对合约价格的溢价已处于显著高位,令买方倾向于观望。目前DDR5和DDR4现货价格分别较2月合约价溢价25%和111%,即便经历较大幅度回调,仍将远高于合约价及历史绝对价格水平。

在行业ASP走势方面,预计三星电子和SK海力士2026年第二季度DRAM混合ASP环比涨幅约为35%,但ASP增速的二阶导数预计为-34个百分点,意味着价格增速的加速势头正在放缓。

服务器需求强劲,AI拉动效应持续显现

服务器相关需求依然是支撑DRAM基本面的核心驱动力。2月中国台湾服务器ODM厂商(包括英业达、广达、纬颖、纬创)合计营收同比增长84%,环比增长7%,已连续四个月实现80%以上的同比增速,主要受益于机架级AI服务器出货量的快速爬坡以及ASIC AI服务器的强劲增长。

全球最大服务器BMC芯片供应商Aspeed的2月营收同比增长66%,环比增长12%,在2025年2月高基数(同比+109%)的背景下仍保持稳健增长,进一步印证AI基础设施投资的持续性。存储分销商Supreme Electronics的2月营收同比增长137%,环比增长22%,亦反映出渠道层面的旺盛需求。

不过,中国智能手机市场连续三个月录得两位数同比下滑。2月出货量同比下降13%,此前12月和1月分别下滑29%和16%,预计2026年第一季度中国智能手机出货量将同比下降约10%,主要原因是内存价格上涨对终端需求形成拖累。

TurboQuant会不会产生威胁?

TurboQuant代表的是AI推理侧的内存优化方向——通过更高效的内存利用率,在单位算力上部署更多模型。这对内存需求的影响是双向的:短期内,它可能压低单个AI服务器的内存搭载量;但更长期来看,它降低了AI部署门槛,可能大幅扩大在AI Agent和端侧AI场景的整体渗透率,从而推动内存总需求规模持续扩张。

这一逻辑目前市场还没有充分定价——投资者现在盯着的是前半段(内存用量下降),而忽略了后半段(AI普及加速带来的量的扩张)。这一担忧更多体现为情绪层面的短期压力,而不是基本面层面的实质性损伤。

在HBM(高带宽内存)方面,高盛与卖方共识之间存在明显分歧。截至3月30日,预测SK海力士2026年HBM出货量增速为56%,高于共识预期的41%,领先幅度达15个百分点;但在定价方面,预测HBM价格增速为-12%,较共识低19个百分点,主要基于对HBM3E 12-Hi今年定价将偏低的判断。

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