内存价格追踪:DDR3稳定上涨,DDR4/DDR5价格高企,需求疲软

内存现货市场分化加剧。DDR3凭借价格优势与零星急单支撑,表现相对坚挺;DDR4与DDR5则因价格高企、终端需求受抑,陷入买卖双方僵持。分析指出,此轮调整更多由情绪面驱动,而非需求系统性恶化,合约价格仍保持坚挺。

内存现货市场呈现明显分化格局。DDR3凭借价格优势持续走强,DDR4与DDR5则因价格高企、需求疲软陷入买卖双方僵局,NAND Flash同样承压,整体市场情绪趋于谨慎。

据集邦咨询最新内存现货价格追踪报告,截至3月31日当周,主流DDR4芯片(DDR4 1Gx8 3200MT/s)均价小幅下滑0.12%至33.96美元,DDR5价格亦延续弱势。

供应商虽采取积极降价策略,但模组厂仅在价格大幅低于市场水平时才进行小批量采购,双方形成僵持。中国市场方面,部分从二手设备拆解而来的模组价格跌幅较大,但对整体行情影响有限。

内存现货市场分化加剧

DDR4与DDR5现货市场本周延续疲态。集邦咨询表示,终端需求持续受高价格压制,2026年第二季度合约价格仍未公布,市场缺乏明确方向,交投意愿双重受抑。

供应商虽主动下调报价,但效果有限。主流DDR4芯片均价周跌幅仅0.12%,显示价格下行空间有限,上行亦缺乏动能。

与DDR4及DDR5的低迷不同,DDR3现货市场本周表现相对坚挺。集邦咨询指出,DDR3具备明显价格优势,叠加零星急单的间歇性提振,低价位区域实体买盘持续稳健,各品牌芯片价格走势趋于平稳。

这一格局表明,在整体需求疲弱的背景下,部分对成本敏感的买家正转向价格更低的DDR3作为替代,为该细分市场提供了相对独立的支撑逻辑。

NAND Flash现货市场本周同样走弱。集邦咨询指出,模组厂仅在价格明显低于市场水平时进行小批量采购,买卖双方动能不足。512Gb TLC现货价格本周下跌2.97%,供需平衡压力依然存在。

中国零售市场DDR5价格急跌 业内称集中于拆机模组

近期中国零售市场DDR5价格大幅下跌,引发关注。

华强北电子市场DDR5现货价格急跌约30%,32GB模组从近3000元降至约2500元,部分清仓报价低至1950元。主流16GB DDR5-5600/6000模组在本地电商平台的价格,亦较今年1—2月约1300元回落至约1000元,累计跌幅达25%—30%。

TrendForce报道援引业内人士指出,此番下跌主要集中于拆机现货模组,原生IC模组价格基本稳定。主要内存厂商1G DDR5模组成交价维持在5—7.5美元区间,主要反映再生IC的二级市场供应情况。

Richard's Research Blog分析认为,现货市场DRAM芯片及模组仅占整体DRAM市场的1%—5%,中国零售端出现的“断崖式”下跌,更多体现小众渠道内的集中性行情波动,而非市场整体需求的系统性恶化。

价格回调背后:情绪驱动需求疲软

对于近期DRAM价格走软的原因,Richard‘s Research Blog分析认为,此轮调整更多属于市场修正,而非需求冲击。PC DRAM与移动DRAM现货及零售价格自今年2月至3月持续走软,促使此前在上涨行情中积累库存的厂商、经销商和交易商选择获利了结、平仓离场。

部分市场声音将Google TurboQuant视为抑制内存需求的催化剂。对此,该分析持不同看法,认为TurboQuant本质上属于人工智能数据中心推理技术,与PC DIMM定价几乎没有直接关联,仅在小众AI PC应用场景中存在边际影响。

分析还指出,目前合约价格依然坚挺,PC DIMM现货价格大幅下跌,说明此轮波动主要由情绪面驱动——交易商和库存持有者在负面消息流中选择锁定利润,而非受制于实际需求的恶化。

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