工信部副部长王志军：当前，我国芯片设计水平提升3代以上，海思麒麟980手机芯片采用了全球最先进的7纳米工艺；制造工艺提升了1.5代，32/28纳米工艺实现规模量产，16/14纳米工艺进入客户导入阶段；存储芯片进行了初步布局，64层3D NAND闪存芯片预计今年下半年量产；先进封装测试规模在封测业中占比达到约30%；刻蚀机等高端装备和靶材等关键材料取得突破。当然，与国际先进水平相比，我国集成电路的总体设计、制造、检测及相关设备、原材料生产还有相当的差距。（新华社）
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