【中国科学院专家：发展锑化物半导体已成为我国第四代半导体核心技术发展的战略性方向之一】中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室研究员、国家重点研发计划量子调控与量子信息项目负责人牛智川表示，锑化物半导体为突破传统体系的技术封锁，提供了自主掌握命门技术的钥匙。锑化物半导体在开发下一代的小体积、轻重量、低功耗、低成本器件，及其要求极为苛刻的应用方面具有不可替代的独特优势。如今，国内的锑化物超晶格探测器、量子阱激光器技术等正在步入产业化应用发展阶段。（科技日报）