【重庆邮电大学成功研发第三代半导体功率芯片】重庆邮电大学光电工程学院副教授黄义介绍，目前实验室已成功研发第三代半导体氮化镓功率芯片，主要应用在汽车电子、消费电源、数据中心等方面。电量能节省10%以上，面积是硅芯片的1/5左右，开关速度提升10倍以上。目前该项目已经到了试验性应用阶段，未来有望在各种电源节能领域和大数据中心使用。（重庆日报）
风险提示及免责条款
市场有风险，投资需谨慎。本文不构成个人投资建议，也未考虑到个别用户特殊的投资目标、财务状况或需要。用户应考虑本文中的任何意见、观点或结论是否符合其特定状况。据此投资，责任自负。