【专家：国内第三代半导体迎窗口期，今年氮化镓、碳化硅产值或达70亿元】第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲11月24日在2020国际第三代半导体论坛上透露，双循环模式推动国产化替代，2020年中国SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）电力电子和微波射频产值预计将约为70亿元。其中，中国的GaN微波射频产业产值2020年将达到33.75亿元，比去年的26.15亿元将增长29%；SiC、GaN电力电子产业产值2020年将达到35.35亿元，比去年的29.03亿元将增长21.77%。（一财）