【三星：下一代闪存将采用双层堆叠，有望实现256层】在昨日举行的投资者论坛上，全球存储芯片龙头厂商三星电子透露，它将在其未来的NAND闪存芯片中采用“双层堆叠”（Double-stack Technology）技术，并且有可能开发256层设备。（全球半导体观察）