【上海临港新片区：推进6英寸、8英寸GaAs、GaN和SiC工艺线建设】上海临港新片区发布集成电路产业专项规划（2021-2025）。规划提出，推进6英寸、8英寸GaAs、GaN和SiC工艺线建设，重点支持12英寸高端刻蚀、清洗、离子注入、光刻、薄膜、湿法、热处理以及光学量测等设备的研发和产业化；支持硅材料产业做大作强，继续提升12英寸大硅片技术与产能；积极引进国内外光刻胶、掩膜板、第三代半导体等材料企业，加强关键材料的本地化配套能力。