7*24 快讯

赛微电子:拟10亿元投建6-8英寸硅基氮化镓功率器件半导体制造项目

赛微电子公告,公司于当日与青州市人民政府签署了合作协议,公司拟在青州经济开发区发起投资10亿元分期建设聚能国际6-8英寸硅基氮化镓功率器件半导体制造项目,总占地面积30亩。一期建成投产后将形成6-8英寸GaN芯片晶圆5000片/月的生产能力,二期建成投产后将形成6-8英寸GaN芯片晶圆12000片/月的生产能力。

风险提示及免责条款
市场有风险,投资需谨慎。本文不构成个人投资建议,也未考虑到个别用户特殊的投资目标、财务状况或需要。用户应考虑本文中的任何意见、观点或结论是否符合其特定状况。据此投资,责任自负。