山西中科潞安紫外光电科技有限公司协同中科院半导体所、中科潞安半导体技术研究院共同承担了“氮化镓基高效深紫外LED芯片技术”项目，在技术创新和应用创新不断取得突破。项目制备出的大功率深紫外LED芯片，发光功率超过40mW，并开发出发光功率超过1W的深紫外LED模组，模组寿命超过5000小时。目前相关大功率产品已小批量生产，待产业化规模放大后，可有效降低芯片成本，推动深紫外LED产业开辟新的应用领域和市场，带动上下游相关产业发展。（山西日报）
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