近日，中国科学技术大学光学与光学工程系教授王亮课题组设计并制备的InGaAs（砷化铟镓）单光子探测器芯片取得重要进展。前述团队通过设计金属—分布式布拉格反射器优化单光子探测器芯片的光学性能，完成低本征暗计数的单光子探测器芯片的全自主化设计与制备，实现了单光子探测器芯片的全国产化，为解决我国前沿科技问题迈进了重要一步。相关成果在线发表于电子工程技术领域期刊Journal of Lightwave Technology。（澎湃新闻）
风险提示及免责条款
市场有风险，投资需谨慎。本文不构成个人投资建议，也未考虑到个别用户特殊的投资目标、财务状况或需要。用户应考虑本文中的任何意见、观点或结论是否符合其特定状况。据此投资，责任自负。