中科大在InGaAs单光子探测芯片取得重要进展

近日，中国科学技术大学光学与光学工程系教授王亮课题组设计并制备的InGaAs（砷化铟镓）单光子探测器芯片取得重要进展。前述团队通过设计金属—分布式布拉格反射器优化单光子探测器芯片的光学性能，完成低本征暗计数的单光子探测器芯片的全自主化设计与制备，实现了单光子探测器芯片的全国产化，为解决我国前沿科技问题迈进了重要一步。相关成果在线发表于电子工程技术领域期刊Journal of Lightwave Technology。（澎湃新闻）