三星电子已规划好未来三年的3nm米环绕闸极(GAA)制程技术,并且寻求在2025年让2纳米GAA制程量产。(BusinessKorea) 风险提示及免责条款 市场有风险,投资需谨慎。本文不构成个人投资建议,也未考虑到个别用户特殊的投资目标、财务状况或需要。用户应考虑本文中的任何意见、观点或结论是否符合其特定状况。据此投资,责任自负。