7*24 快讯

联发科:采用台积电3纳米制程生产的芯片已成功流片,预计2024年量产

据联发科官网消息,9月7日,联发科与台积电共同宣布,联发科首款采用台积电3纳米制程生产的天玑旗舰芯片日前已成功流片,预计将在明年量产。据介绍,相较于5纳米制程,台积电3纳米制程技术的逻辑密度增加约60%,在相同功耗下速度提升18%,或者在相同速度下功耗降低32%。联发科表示,首款采用台积电3纳米制程的天玑旗舰芯片将于2024年下半年上市。

风险提示及免责条款
市场有风险,投资需谨慎。本文不构成个人投资建议,也未考虑到个别用户特殊的投资目标、财务状况或需要。用户应考虑本文中的任何意见、观点或结论是否符合其特定状况。据此投资,责任自负。