三星正在考虑在其下一代DRAM中应用模压填充（MUF）技术。三星最近测试了一种用于3D堆栈 (3DS) 内存的MR MUF工艺，与TC NCF相其吞吐量有所提升，但物理特性却出现了一定恶化。经过测试，该公司得出结论，MUF不适用于高带宽内存 (HBM)，但非常适合3DS RDIMM，而目前3DS RDIMM使用硅通孔 (TSV) 技术制造，主要用于服务器。 (TheElec)
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