据知情人士透露，三星电子已获得批准向英伟达供应其第五代高带宽存储芯片的一个版本。三星的8层HBM3E（一种较低级的HBM3E品种）据悉于12月获得英伟达的批准。三星和英伟达的代表拒绝置评。
尽管进展不大，但这是三星为获得英伟达的HBM3E芯片批准奋斗一年之后取得的进展。在利润丰厚的HBM市场中占据先机的SK海力士，通过先于三星和美光科技公司推出尖端HBM芯片，不断扩大领先优势。SK海力士在2024年初成为首家量产8层HBM3E的供应商，并于去年年底开始供应更先进的12层品种。（彭博）
风险提示及免责条款
市场有风险，投资需谨慎。本文不构成个人投资建议，也未考虑到个别用户特殊的投资目标、财务状况或需要。用户应考虑本文中的任何意见、观点或结论是否符合其特定状况。据此投资，责任自负。