中微公司公告称,近日推出六款半导体设备新产品,包括两款刻蚀设备和四款薄膜沉积设备。刻蚀设备方面,新一代极高深宽比等离子体刻蚀设备PrimoUD-RIE 和专注于金属刻蚀的PrimoMenova 12寸ICP单腔刻蚀设备,旨在满足客户在极高深宽比刻蚀和金属刻蚀领域的需求。薄膜沉积设备方面,包括三款原子层沉积产品和一款外延产品,如PreformaUniflash 金属栅系列和PRIMIOEpita RP双腔减压外延设备。
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