继今年初在全球首次实现8英寸硅基氮极性氮化镓高电子迁移率材料的制备后，九峰山实验室团队在磷化铟（InP）材料领域取得重要技术突破，关键性能指标达到国际领先水平。这是国内首次在大尺寸磷化铟材料制备领域实现从核心装备到关键材料的国产化协同应用，相关成果可为光电子器件产业化发展提供重要支撑。（湖北日报）
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