三星公布首批2纳米芯片性能数据，加速追赶台积电

三星电子公布了其即将推出的2nm芯片工艺的首批性能数据，标志着该公司将更加积极地推进下一代晶圆代工制造，以缩小与台积电的差距。三星宣布，其首代2nm工艺采用了全栅极环绕（GAA）晶体管技术，相比第二代3nm工艺，性能提升5%，功耗效率提高8%，芯片面积缩小5%。这是三星首次发布2nm的具体规格，此前仅出现概念性描述。（台湾电子时报）