7*24 快讯

美光CEO:内存短缺或持续至2026年后,新产能2028年才能大规模释放

日前,美国存储芯片厂商美光CEO桑杰·马罗特拉(Sanjay Mehrotra)接受外媒采访时发出预警,称当前全球内存短缺可能延续至2026年之后,而行业真正意义上的大规模新产能释放,至少要等到2028年。

“厂房基础建设是目前周期最长、挑战最大的环节,土建完成后,设备入场、安装调试同样需要漫长周期。”马罗特拉在弗吉尼亚州马纳萨斯工厂接受采访时坦言。该工厂刚刚启动了全美首个“1-alpha”工艺节点DRAM量产,这也是美光将先进内存制造回流本土的关键一步。

风险提示及免责条款
市场有风险,投资需谨慎。本文不构成个人投资建议,也未考虑到个别用户特殊的投资目标、财务状况或需要。用户应考虑本文中的任何意见、观点或结论是否符合其特定状况。据此投资,责任自负。

由于全球存储芯片紧缺,美光正在进行大规模扩产。根据之前美光披露的计划,美光将在爱达荷州博伊西建设两座先进晶圆厂,首座预计明年年中产出首批晶圆,第二座则要到2028年底;在纽约州锡拉丘兹规划多达四座晶圆厂的生产集群。整体而言,美光计划在全美投资高达2000亿美元,目标是将本土产量占全球总产量的比重从当前的约10%提升至40%。(澎湃)

风险提示及免责条款
市场有风险,投资需谨慎。本文不构成个人投资建议,也未考虑到个别用户特殊的投资目标、财务状况或需要。用户应考虑本文中的任何意见、观点或结论是否符合其特定状况。据此投资,责任自负。