据DIGITIMES报道,三星电子、SK海力士原计划在HBM4用混合键合技术,但目前正重新考虑。混合键合属于半导体先进封装技术,业内预计最早用于16层HBM4E。据悉,两家公司决定继续用传统热压键合技术,因行业放宽HBM厚度标准、客户高堆栈需求延迟调整计划。
据DIGITIMES报道,三星电子、SK海力士原计划在HBM4用混合键合技术,但目前正重新考虑。混合键合属于半导体先进封装技术,业内预计最早用于16层HBM4E。据悉,两家公司决定继续用传统热压键合技术,因行业放宽HBM厚度标准、客户高堆栈需求延迟调整计划。