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【中科院研制出窄带隙分布半导体性单壁碳纳米管】最近,中科院金属所先进炭材料研究部的研究人员与芬兰Aalto大学合作者设计并制备了一种部分碳包覆的Co纳米颗粒催化剂,他们采用这种催化剂首先实现了窄直径分...

**【中科院研制出窄带隙分布半导体性单壁碳纳米管】**最近,中科院金属所先进炭材料研究部的研究人员与芬兰Aalto大学合作者设计并制备了一种部分碳包覆的Co纳米颗粒催化剂,他们采用这种催化剂首先实现了窄直径分布SWCNT的可控生长,进而采用H2原位刻蚀方法获得了窄带隙分布(~0.08 eV)、高纯度(>95%)、高质量的半导体性SWCNT。(中科院)
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