【英特尔IDF重大技术发布】英特尔宣布3D XPoint的非易失性存储器技术开始大规模量产，与现在的NAND相比，该技术在速度及耐用性方面均实现了最高可达1000倍的提升。也就是说，明后年个人手机中内...
**【英特尔IDF重大技术发布】**英特尔宣布3D XPoint的非易失性存储器技术开始大规模量产，与现在的NAND相比，该技术在速度及耐用性方面均实现了最高可达1000倍的提升。也就是说，明后年个人手机中内存有望达到1T。英特尔中国总裁杨叙说道，这是自1989年闪存技术商用以来，最大的革命性的进步，也是英特尔有底气在大连投资40亿至50亿美元建厂的原因，该技术出来以后，对三星的3d闪存技术是一个很大的冲击。