【中科院微电子所在阻变存储器高密度集成方面取得进展】近日,中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室刘明团队在阻变存储器(RRAM)高密度集成方面取得新进展,提出了一种与CMOS工艺完全兼容... 【中科院微电子所在阻变存储器高密度集成方面取得进展】近日,中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室刘明团队在阻变存储器(RRAM)高密度集成方面取得新进展,提出了一种与CMOS工艺完全兼容、具有高均一性的高性能选通器件,为两端结构电阻型存储器的高密度三维集成提供了解决方案。(中科院) 风险提示及免责条款 市场有风险,投资需谨慎。本文不构成个人投资建议,也未考虑到个别用户特殊的投资目标、财务状况或需要。用户应考虑本文中的任何意见、观点或结论是否符合其特定状况。据此投资,责任自负。